1. 物料型号：
- 型号包括2SD772、2SD772A和2SD772B，它们都是Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些器件采用TO-220C封装，具有高击穿电压和高速开关特性。
3. 引脚分配：
- 1号引脚为基极（Base）。
- 2号引脚为集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base）。
- 3号引脚为发射极（Emitter）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值在25°C的条件下给出，包括：
- VCBO（集电极-基极电压）：2SD772为150V，2SD772A为200V，2SD772B为250V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：80V。
- VEBO（发射极-基极电压）：6V。
- Ic（集电极电流（DC））：5A。
- ICM（集电极峰值电流）：10A。
- Pc（集电极耗散）：40W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（储存温度）：-50至150°C。
5. 功能详解和应用信息：
- 这些器件适用于功率放大器应用。
6. 封装信息：
- 提供了TO-220C封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。
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