2SD845

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2SD845 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2SD845.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2SD845 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD845 DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SB755 ·High transition frequency ·High breakdown voltage :VCEO=150V(min) APPLICATIONS ·For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 150 150 5 12 1.2 120 150 -55~150 UNIT V V V A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=0.1A; IB=0 IE=10mA; IC=0 IC=5 A;IB=0.5 A IC=5A ; VCE=5V VCB=150V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=5V IC=1A ; VCE=10V 55 20 MIN 150 5 TYP. 2SD845 SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE fT MAX UNIT V V 2.0 1.5 -50 -50 160 V V µA µA MHz hFE classifications R 55-110 O 80-160 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SD845 Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

2SD845

1. 物料型号：2SD845，这是一个Silicon NPN Power Transistors（硅NPN功率晶体管）。

2. 器件简介： - 封装类型：MT-200。 - 与2SB755型号相补。 - 高转换频率。 - 高击穿电压：V_{CEO}=150V（最小值）。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base W.f）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：150V（开射极）。 - 集-射电压（VCEO）：150V（开基极）。 - 发-基电压（VEBO）：5V（开集电极）。 - 集电极电流（Ic）：12A。 - 基极电流（Ib）：1.2A。 - 集电极功耗（Pc）：120W（Tc=25°C）。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C。

5. 功能详解： - 用于功率放大应用。 - 击穿电压V(BR)CEO：150V（Ic=0.1A; IB=0）。 - 发射极-基极击穿电压V(BR)EBO：5V（Ic=0; le=10mA）。 - 饱和压降VCEsat：2.0V（Ic=5A; IB=0.5A）。 - 基极-发射极导通电压VBE：1.5V（Ic=5A; VcE=5V）。 - 集电极截止电流ICBO：-50uA（Vcs=150V; I=0）。 - 发射极截止电流IEBO：-50uA（VEB=5V; Ic=0）。 - 直流电流增益hFE：55至160（Ic=1A; VcE=5V）。 - 转换频率fT：20MHz（Ic=1A; VcE=10V）。

6. 应用信息：适用于功率放大应用。

7. 封装信息：PDF文档中提供了MT-200封装的简化外形图和符号，具体尺寸可见图2。

2SD845 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2SD845”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2SD845

相关技术文章