物料型号:
- 型号:2SD882
器件简介:
- 2SD882是一种硅NPN功率晶体管,采用TO-126封装,与2SB772型号相补充。
引脚分配:
- 引脚1:发射极(Emitter)
- 引脚2:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base)
- 引脚3:基极(Base)
参数特性:
- 集-基电压(VCBO):开发射极时为40V
- 集-射电压(VCEO):开基极时为30V
- 发-基电压(VEBO):开集电极时为5V
- 集电极电流(IC):直流3A
- 集电极峰值电流(ICM):7A
- 总功耗(PD):10W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度(Tstg):-55~150°C
功能详解:
- 该晶体管的主要特性包括集-射击穿电压(V(BR)CEO)、集-射饱和电压(VCEsat)、基-发射饱和电压(VBEsat)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)以及转换频率(fT)。还提到了集电极输出电容(CoB)。
应用信息:
- 2SD882的应用包括音频放大器、电压调节器、DC-DC转换器和继电器驱动器。
封装信息:
- 封装类型为TO-126,文档中提供了简化外形图和符号。