1. 物料型号:2SD953,这是一个硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介:
- 封装类型:TO-3封装。
- 内置阻尼二极管。
- 高电压能力。
3. 引脚分配:
- 1号引脚:基极(Base)。
- 2号引脚:发射极(Emitter)。
- 3号引脚:集电极(Collector)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):1500V。
- 发射极-基极电压(VEBO):5V。
- 集电极电流(Ic):5A。
- 集电极峰值电流(ICM):7A。
- 总功率耗散(PT):95W(在25°C时)。
- 结温(Tj):130°C。
- 存储温度(Tstg):-65至130°C。
- 电气特性:
- 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):5V。
- 饱和集电极-发射极电压(VCEsat):5.0V。
- 饱和基极-发射极电压(VBEsat):1.5V。
- 集电极截止电流(ICBO):0.1mA(750V时)和1.0mA(1500V时)。
- 直流电流增益(hFE-1):8(在1A集电极电流和5V集电极-发射极电压时)。
- 直流电流增益(hFE-2):3(在4A集电极电流和10V集电极-发射极电压时)。
- 二极管正向电压(VF):1.6V。
- 下降时间(tr):0.8秒。
- 存储时间(ts):13.5秒。
5. 功能详解:2SD953是一款硅NPN功率晶体管,适用于线路操作的水平偏转输出应用,具有高电压能力和内置阻尼二极管,可以提供有效的电压和电流控制。
6. 应用信息:适用于线路操作的水平偏转输出应用。
7. 封装信息:TO-3封装,具体尺寸和外形见图2。