物料型号：
- BD239/A/B/C
器件简介：
- 该器件是由SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，采用TO-220C封装。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：BD239为55V，BD239A为70V，BD239B为90V，BD239C为115V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：BD239为45V，BD239A为60V，BD239B为80V，BD239C为100V。
- VEBO（发射极-基极电压）：5V。
- Ic（集电极电流）：2A。
- ICM（集电极峰值电流）：4A。
- IB（基极电流）：0.6A。
- Pc（集电极功率耗散）：30W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-65°C至150°C。
功能详解：
- 该器件适用于中等功率的线性和开关应用。
- 维持电压（VCEO(SUS)）：BD239为45V，BD239A为60V，BD239B为80V，BD239C为100V。
- 饱和电压（VCEsat）：在Ic=1A，Ib=0.2A时为0.7V。
- 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=1A，VCE=4V时为1.3V。
- 集电极截止电流（ICEO）：BD239/A为0.3mA，BD239B/C为0.3mA。
- 发射极截止电流（IEBO）：1mA。
- 直流电流增益（hFE-1）：在Ic=0.2A，VCE=4V时为40。
- 直流电流增益（hFE-2）：在Ic=1A，VCE=4V时为15。
应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
封装信息：
- TO-220C封装，具体尺寸见图2（未提供具体尺寸数值，仅提供了封装的图片链接）。
工商网监
湘ICP备2023018690号
