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BD242C

BD242C

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD242C - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD242C 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD242/A/B/C DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD241/A/B/C APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD242 VCBO Collector-base voltage BD242A BD242B BD242C BD242 VCEO Collector-emitter voltage BD242A BD242B BD242C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -55 -70 -90 -115 -45 -60 -80 -100 -5 -3 -5 -1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD242/A/B/C CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD242 BD242A IC=30mA; IB=0 BD242B BD242C VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage BD242/A ICEO Collector cut-off current BD242B/C BD242 BD242A ICES Collector cut-off current BD242B BD242C IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain VCE=-80V; VBE=0 VCE=-100V; VBE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-4V 25 10 -1 mA VCE=-60V; IB=0 VCE=-45V; VBE=0 VCE=-60V; VBE=0 -0.2 mA IC=-3A;IB=-0.6 A IC=-3A ; VCE=-4V VCE=-30V; IB=0 -0.3 mA -80 -100 -1.2 -1.8 V V CONDITIONS MIN -45 -60 V TYP. MAX UNIT SYMBOL VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD242/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD242C
物料型号: - 型号为BD242/A/B/C,由SavantIC Semiconductor生产,是硅PNP功率晶体管。

器件简介: - BD242/A/B/C是用于中功率线性和开关应用的PNP功率晶体管,采用TO-220C封装。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):BD242型号为-55V,BD242A为-70V,BD242B为-90V,BD242C为-115V。 - 集-射电压(VCEO):BD242型号为-45V,BD242A为-60V,BD242B为-80V,BD242C为-100V。 - 发-基电压(VEBO):开集电极时为-5V。 - 集电极电流(Ic):-3A。 - 集电极峰值电流(ICM):-5A。 - 基极电流(IB):-1A。 - 集电极功耗(Pc):在Tc=25℃时为40W。 - 结温(Tj):150℃。 - 存储温度(Tstg):-65℃至150℃。

功能详解: - 包括集-射饱和电压(VCEsat)、基-射开启电压(VBE)、集电极截止电流(ICEO)、发射极截止电流(IEBO)以及直流电流增益(hFE-1和hFE-2)等参数。

应用信息: - 适用于中功率线性和开关应用。

封装信息: - 封装类型为TO-220C,PDF中提供了简化外形图和符号图,以及外形尺寸图(Fig.2 Outline dimensions)。
BD242C 价格&库存

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