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BD243

BD243

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD243 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD243 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD243/A/B/C DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD244/A/B/C APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD243 VCBO Collector-base voltage BD243A BD243B BD243C BD243 VCEO Collector-emitter voltage BD243A BD243B BD243C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 80 100 45 60 80 100 5 6 10 2 65 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD243/A/B/C CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD243 Collector-emitter sustaining voltage BD243A IC=30mA; IB=0 BD243B BD243C VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage BD243/A ICEO Collector cut-off current BD243B/C BD243 BD243A ICES Collector cut-off current BD243B BD243C IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain VCE=80V; VBE=0 VCE=100V; VBE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.3A ; VCE=4V IC=3A ; VCE=4V 30 15 1 mA VCE=60V; IB=0 VCE=45V; VBE=0 VCE=60V; VBE=0 0.4 mA IC=6A;IB=1 A IC=6A ; VCE=4V VCE=30V; IB=0 0.7 mA 80 100 1.5 2.0 V V CONDITIONS MIN 45 60 V TYP. MAX UNIT SYMBOL VCEO(SUS) 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD243/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD243
物料型号: - BD243/A/B/C是SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

器件简介: - 这些晶体管采用TO-220C封装,是BD244/A/B/C的补充产品,适用于中等功率的线性和开关应用。

引脚分配: - PIN 1: Base(基极) - PIN 2: Collector; connected to mounting base(集电极;连接到安装底座) - PIN 3: Emitter(发射极)

参数特性: - 绝对最大额定值($T_a=25^{\circ}$): - VCBO(集电极-基极电压):BD243为45V,BD243A为60V,BD243B为80V,BD243C为100V。 - VCEO(集电极-发射极电压):BD243为45V,BD243A为60V,BD243B为80V,BD243C为100V。 - VEBO(发射极-基极电压):5V。 - Ic(集电极电流):6A。 - ICM(集电极峰值电流):10A。 - IB(基极电流):2A。 - Pc(集电极功率耗散):65W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65~150°C。

功能详解: - VCEO(sus)(维持电压):在IC=30mA,IB=0条件下,BD243/A/B/C分别为45V、60V、80V、100V。 - VCEsat(饱和电压):在IC=6A,IB=1A条件下,BD243为1.5V。 - VBE(导通电压):在IC=6A,VCE=4V条件下,BD243/A/B/C均为2.0V。 - ICEO(集电极截止电流):BD243/A/B/C均为0.7 mA。 - ICES(集电极截止电流):BD243/A/B/C均为0.4 mA。 - IEBO(发射极截止电流):在VEB=5V,IC=0条件下,BD243/A/B/C均为1 mA。 - hFE-1(直流电流增益):在IC=0.3A,VCE=4V条件下,BD243/A/B/C均为30。 - hFE-2(直流电流增益):在IC=3A,VCE=4V条件下,BD243/A/B/C均为15。

应用信息: - 适用于中等功率的线性和开关应用。

封装信息: - TO-220C封装,具体外形尺寸见图2。未标明的公差为±0.10mm。
BD243 价格&库存

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