1. 物料型号：
- BD646/648/650/652是Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些器件采用TO-220C封装，是BD645/647/649/651的补充型号，适用于达林顿应用，常用于音频设备输出阶段、通用放大器和模拟开关应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base）
- 引脚3：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BD646为-80V，BD648为-100V，BD650为-120V，BD652为-140V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BD646为-60V，BD648为-80V，BD650为-100V，BD652为-120V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。
- 集电极电流（Ic）：-8A（DC），-12A（Pulse）。
- 基极电流（1B）：-150mA。
- 集电极功率耗散（Pc）：62.5W（在25°C时）。
- 结温（TJ）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C。
5. 功能详解：
- 这些器件具有PNP结构，适用于音频设备输出阶段、通用放大器和模拟开关应用。它们能够在高电压和高电流条件下工作，具体参数如上所述。
6. 应用信息：
- 适用于音频设备输出阶段、通用放大器和模拟开关应用。
7. 封装信息：
- 采用TO-220C封装，具体外形尺寸见PDF文档中的图2。
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