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BD676A

BD676A

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD676A - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD676A 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD675A/677A/679A/681 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION BD676A/678A/680A/682 Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD676A VCBO Collector-base voltage BD678A BD680A BD682 BD676A VCEO Collector-emitter voltage BD678A BD680A BD682 VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter -base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -45 -60 -80 -100 -45 -60 -80 -100 -5 -4 -6 -0.1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD676A BD678A SYMBOL BD676A/678A/680A/682 CONDITIONS MIN -45 -60 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA; IB=0 BD680A BD682 BD676A/678A/680A BD682 BD676A/678A/680A BD682 IC=-2A; IB=-40mA IC=-1.5A; IB=-30mA IC=-2A ; VCE=-3V -2.5 IC=-1.5A ; VCE=-3V VCB=rated BVCEO; IE=0 Ta=100 VCE=1/2rated BVCEO; IB=0 VEB=-5V; IC=0 BD676A/678A/680A IC=-2A ; VCE=-3V IC=-1.5A ; VCE=-3V 750 750 -0.2 -2.0 -0.5 -2.0 -80 -100 -2.8 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage V -2.5 VBE(on) Emitter-base voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current V ICBO ICEO IEBO mA mA mA hFE DC current gain BD682 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD676A/678A/680A/682 Fig.2 Outline dimensions 3
BD676A
物料型号: - BD676A/678A/680A/682

器件简介: - 这些是SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管,采用TO-126封装,是BD675A/677A/679A/681的互补型号,具有达林顿结构,适用于中功率线性和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):BD676A为-45V,BD678A为-60V,BD680A为-80V,BD682为-100V。 - VCEO(集电极-发射极电压):BD676A为-45V,BD678A为-60V,BD680A为-80V,BD682为-100V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - Ic(集电极电流):-4A。 - ICM(集电极峰值电流):-6A。 - Ib(基极电流):-0.1A。 - Pc(集电极功率耗散):40W(在Tc=25°C时)。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-65°C至150°C。

功能详解: - 这些晶体管在25°C下工作,除非另有说明。特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、发射极-基极电压、集电极截止电流、发射极截止电流和直流电流增益等。

应用信息: - 适用于中功率线性和开关应用。

封装信息: - 封装类型为TO-126,具体尺寸见图2。
BD676A 价格&库存

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