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BD681

BD681

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD681 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD681 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD675A/677A/679A/681 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD676A/678A/680A/682 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD675A VCBO Collector-base voltage BD677A BD679A BD681 BD675A VCEO Collector-emitter voltage BD677A BD679A BD681 VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter -base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 80 100 45 60 80 100 5 4 6 0.1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD675A Collector-emitter sustaining voltage BD677A IC=50mA; IB=0 BD679A BD681 Collector-emitter saturation voltage BD675A/677A/679A BD681 BD675A/677A/679A BD681 BD675A Collector cut-off current BD677A BD679A BD681 BD675A Collector cut-off current BD677A BD679A BD681 IEBO Emitter cut-off current BD675A/677A/679A hFE DC current gain BD681 SYMBOL BD675A/677A/679A/681 CONDITIONS MIN 45 60 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) V 80 100 IC=2A; IB=40mA IC=1.5A; IB=30mA IC=2A ; VCE=3V IC=1.5A ; VCE=3V VCB=45V; IE=0 VCB=60V; IE=0 2.8 V 2.5 2.5 V 2.5 VCEsat VBE(ON) Base-emitter voltage ICBO 0.2 VCB=80V; IE=0 VCB=100V; IE=0 VCE=45V; VBE=0 VCE=60V; VBE=0 0.5 VCE=80V; VBE=0 VCE=100V; VBE=0 VEB=5V; IC=0 IC=2A ; VCE=3V IC=1.5A ; VCE=3V 750 750 2 mA ICEO mA mA 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD675A/677A/679A/681 Fig.2 Outline dimensions 3
BD681
物料型号: - BD675A/677A/679A/681

器件简介: - 这些是SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管,具有TO-126封装,与BD676A/678A/680A/682型号互补,适用于达林顿应用以及中等功率的线性和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 绝对最大额定值(假设环境温度Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):BD675A为45V,BD677A为60V,BD679A为80V,BD681为100V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BD675A为45V,BD677A为60V,BD679A为80V,BD681为100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为5V。 - 集电极电流(Ic):4A。 - 集电极峰值电流(ICM):6A。 - 基极电流(IB):0.1A。 - 集电极功率耗散(Pc):在Tc=25°C时为40W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至150°C。

功能详解: - 这些晶体管在Tj=25°C时的特性如下: - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):BD675A为45V,BD677A为60V,BD679A为80V,BD681为100V。 - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):BD675A/677A/679A在Ic=2A,IB=40mA时为2.8V;BD681在Ic=1.5A,IB=30mA时为2.5V。 - 基极-发射极电压(VBE(ON)):在Ic=2A,VcE=3V时为2.5V。 - 集电极截止电流(ICBO):BD675A在VcB=45V,IE=0时为0.2mA。 - 发射极截止电流(IEBO):在VE=5V,Ic=0时为2mA。 - DC电流增益(hFE):BD675A/677A/679A在Ic=2A,VcE=3V时为750;BD681在Ic=1.5A,VcE=3V时为750。

应用信息: - 适用于中等功率的线性和开关应用,以及达林顿配置。

封装信息: - TO-126封装,具体尺寸见图2。
BD681 价格&库存

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