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BD743

BD743

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD743 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD743 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD744/A/B/C ·High current capability ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD743/A/B/C Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD743 VCBO Collector-base voltage BD743A BD743B BD743C BD743 VCEO Collector-emitter voltage BD743A BD743B BD743C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Ta=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 50 70 90 110 45 60 80 100 5 15 20 5 90 2 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD743 Collector-emitter breakdown voltage BD743A IC=30mA; IB=0 BD743B BD743C VCEsat-1 VCEsat-2 VBE -1 VBE -2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage BD743/A ICEO Collector cut-off current BD743B/C BD743 BD743A ICBO Collector cut-off current BD743B BD743C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain VCE=60V; IB=0 VCE=50V; VBE=0 TC=125 VCE=70V; VBE=0 TC=125 VCE=90V; VBE=0 TC=125 VCE=110V; VBE=0 TC=125 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V IC=15A ; VCE=4V 40 20 5 IC=5 A;IB=0.5 A IC=15 A;IB=5 A IC=5A ; VCE=4V IC=15A ; VCE=4V VCE=30V; IB=0 80 100 CONDITIONS MIN 45 60 SYMBOL BD743/A/B/C TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V 1.0 3.0 1.0 3.0 V V V V 0.1 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.5 mA mA mA 150 Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=5 A;IB1=-IB2=0.5 A VBE(off)=-4.2V; RL=6@ tp=20µs 0.02 0.35 0.5 0.4 µs µs µs µs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case 2 MAX 1.40 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD743/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD743
物料型号: - BD743/A/B/C

器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,具有TO-220C封装,与BD744/A/B/C型号互补,具备高电流能力和高功率耗散能力。适用于功率线性和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C环境温度下): - VCBO(集电极-基极电压):BD743为50V,BD743A为70V,BD743B为90V,BD743C为110V。 - VCEO(集电极-发射极电压):BD743为45V,BD743A为60V,BD743B为80V,BD743C为100V。 - VEBO(发射极-基极电压):5V。 - Ic(集电极电流):15A。 - ICM(集电极峰值电流):20A。 - IB(基极电流):5A。 - Pc(集电极功率耗散):在25°C时为90W,在25°C环境温度下为2W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-65°C至150°C。

功能详解: - 包括击穿电压、饱和电压、开启电压、截止电流和直流电流增益等参数,具体数值依据不同型号和条件有所不同。

应用信息: - 用于功率线性和开关应用。

封装信息: - TO-220C封装,具体尺寸见图2,未标明的公差为±0.10mm。
BD743 价格&库存

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