物料型号：
- 型号为BD744/A/B/C，由SavantIC Semiconductor生产。
器件简介：
- BD744/A/B/C是硅PNP大功率晶体管，具有TO-220C封装，是BD743/A/B/C的补充型号，具备高电流能力和高功耗能力。
引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：基极（Base）
参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BD744为-50V，BD744A为-70V，BD744B为-90V，BD744C为-110V。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：BD744为-45V，BD744A为-60V，BD744B为-80V，BD744C为-100V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。
- 集电极电流（Ic）：-15A。
- 集电极峰值电流（ICM）：-20A。
- 基极电流（IB）：-5A。
- 集电极功耗（Pc）：90W（在25°C环境温度下）。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C。
功能详解：
- 该晶体管在25°C结温下的特性参数包括：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：BD744为-45V，BD744A为-60V，BD744B为-80V，BD744C为-100V。
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）有两个条件：Ic=-5A时为-1.0V，Ic=-15A时为-3.0V。
- 基极-发射极导通电压（VBE）：在Ic=-5A且VcE=-4V时为-1.0V。
- 集电极截止电流（ICEO）：BD744/A为-0.1mA，BD744B/C为-0.1mA至-5.0mA。
- 发射极截止电流（IEBO）：-0.5mA。
- DC电流增益（hFE）有三个条件：Ic=-1A时为40，Ic=-5A时为20至150，Ic=-15A时为5。
应用信息：
- 适用于功率线性和开关应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220C，PDF中提供了简化外形图和符号，以及外形尺寸图（Fig.2）。
