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BD745A

BD745A

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD745A - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD745A 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BD746/A/B/C ·High current capability ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD745/A/B/C · Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD745 VCBO Collector-base voltage BD745A BD745B BD745C BD745 VCEO Collector-emitter voltage BD745A BD745B BD745C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Ta=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 50 70 90 110 45 60 80 100 5 20 25 7 115 3.5 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD745 Collector-emitter breakdown voltage BD745A IC=30mA; IB=0 BD745B BD745C VCEsat-1 VCEsat-2 VBE -1 VBE -2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage BD745/A ICEO Collector cut-off current BD745B/C BD745 BD745A ICBO Collector cut-off current BD745B BD745C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain VCE=60V; IB=0 VCE=50V; VBE=0 TC=125 VCE=70V; VBE=0 TC=125 VCE=90V; VBE=0 TC=125 VCE=110V; VBE=0 TC=125 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V 40 20 5 IC=5 A;IB=0.5 A IC=20 A;IB=5 A IC=5A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V VCE=30V; IB=0 80 100 CONDITIONS MIN 45 60 SYMBOL BD745/A/B/C TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V 1.0 3.0 1.0 3.0 V V V V 0.1 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.5 mA mA mA 150 Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=5 A;IB1=-IB2=0.5 A VBE(off)=-4.2V; RL=6A tp=20µs 0.02 0.35 0.5 0.4 µs µs µs µs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case 2 MAX 1.1 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD745/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD745A
- 物料型号:BD745/A/B/C是SavantIC Semiconductor生产的NPN型功率晶体管。

- 器件简介:BD745系列晶体管具有高电流能力和高功耗能力,并且提供TO-3PN封装。它们是BD746/A/B/C型号的补充,适用于功率线性和开关应用。

- 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

- 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):BD745型号为50V,BD745A为70V,BD745B为90V,BD745C为110V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BD745型号为45V,BD745A为60V,BD745B为80V,BD745C为100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 集电极电流(Ic):20A持续,25A峰值。 - 基极电流(IB):7A。 - 集电极功耗(Pc):在Tc=25℃时为115W,Ta=25℃时为3.5W。 - 结温(Tj):150℃。 - 存储温度(Tstg):-65℃至150℃。

- 功能详解:BD745系列晶体管主要用于功率线性和开关应用,具有高电流和高功耗能力,具体特性参数包括击穿电压、饱和电压、导通电压等。

- 应用信息:适用于功率线性和开关应用。

- 封装信息:提供TO-3PN封装,PDF中包含封装的简化外形图和符号。
BD745A 价格&库存

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