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BD746B

BD746B

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BD746B - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD746B 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BD745/A/B/C ·High current capability ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD746/A/B/C Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BD746 VCBO Collector-base voltage BD746A BD746B BD746C BD746 VCEO Collector-emitter voltage BD746A BD746B BD746C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Ta=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -50 -70 -90 -110 -45 -60 -80 -100 -5 -20 -25 -7 115 3.5 150 -65~150 V A A A W V V UNIT SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BD746 Collector-emitter breakdown voltage BD746A IC=-30mA; IB=0 BD746B BD746C VCEsat-1 VCEsat-2 VBE -1 VBE -2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage BD746/A ICEO Collector cut-off current BD746B/C BD746 BD746A ICBO Collector cut-off current BD746B BD746C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain VCE=-60V; IB=0 VCE=-50V; VBE=0 TC=125 VCE=-70V; VBE=0 TC=125 VCE=-90V; VBE=0 TC=125 VCE=-110V; VBE=0 TC=125 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-4V IC=-5A ; VCE=-4V IC=-20A ; VCE=-4V 40 20 5 IC=-5 A;IB=-0.5 A IC=-20 A;IB=-5 A IC=-5A ; VCE=-4V IC=-20A ; VCE=-4V VCE=-30V; IB=0 -80 -100 CONDITIONS MIN -45 -60 SYMBOL BD746/A/B/C TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V -1.0 -3.0 -1.0 -3.0 V V V V -0.1 -0.1 -5.0 -0.1 -5.0 -0.1 -5.0 -0.1 -5.0 -0.5 mA mA mA 150 Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=-5 A;IB1=-IB2=-0.5 A VBE(off)=4.2V; RL=6A tp=20µs 0.02 0.12 0.6 0.3 µs µs µs µs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case 2 MAX 1.1 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD746/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD746B
物料型号: - BD746/A/B/C

器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-3PN封装,是BD745/A/B/C的补充型号,具备高电流能力和高功率耗散能力。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值(假设环境温度Ta=25°C): - 集电极-基极电压(VCBO):BD746为-50V,BD746A为-70V,BD746B为-90V,BD746C为-110V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BD746为-45V,BD746A为-60V,BD746B为-80V,BD746C为-100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(Ic):-20A。 - 集电极峰值电流(ICM):-25A。 - 基极电流(IB):-7A。 - 集电极功率耗散(Pc):在Tc=25°C时为115W,在Ta=25°C时为3.5W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至150°C。

功能详解: - 这些晶体管适用于功率线性和开关应用。 - 特性表中列出了不同工作条件下的参数,如集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流等。

应用信息: - 用于功率线性和开关应用。

封装信息: - TO-3PN封装,文档中提供了简化外形图和符号,以及外形尺寸图(未标注的公差:±0.10mm)。
BD746B 价格&库存

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