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BDT65C

BDT65C

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BDT65C - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BDT65C 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDT65C DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC Current Gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDT64C APPLICATIONS ·For audio output stages and general purpose amplifier and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current-DC Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 120 120 5 12 125 150 -55~150 UNIT V V V A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Forward diode voltage Forward diode voltage Collector capacitance Turn-on time IC=5A ,IBon=-IBoff=20mA toff Turn-off time 6.0 CONDITIONS IC=30mA, IB=0 IC=5A ,IB=20mA IC=10A ,IB=100mA IC=5A ; VCE=4V VCB=120V, IE=0 VCB=60V, IE=0;Tj=150 VCE=60V, IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V IC=12A ; VCE=4V IF=5A IF=12A IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 2.0 200 1.0 1000 1000 1500 MIN 120 TYP. SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat-1 VCEsat-2 VBE ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 VF-1 VF-2 CC ton BDT65C MAX UNIT V 2.0 3.0 2.5 0.4 2.0 0.2 5 V V V mA mA mA 2.0 V V pF 2.5 10 µs µs 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BDT65C Fig.2 Outline dimensions 3
BDT65C
物料型号: - 型号:BDT65C

器件简介: - BDT65C是一款硅NPN功率晶体管,具有高直流电流增益,达林顿结构,采用TO-220C封装。适用于音频输出级、通用放大器和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):120V,开路发射极 - 集-射电压(VCEO):120V,开路基极 - 发-基电压(VEBO):5V,开路集电极 - 集电极直流电流(Ic):12A - 总功率耗散(PT):125W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C

功能详解: - 包括维持电压、饱和电压、基-射开启电压、集-射截止电流、发-基截止电流、直流电流增益、正向二极管电压、集电极电容、开通时间和关断时间等参数的最小值、典型值和最大值。

应用信息: - 适用于音频输出级和通用放大器以及开关应用。

封装信息: - 封装类型为TO-220C,文档中提供了简化外形图和符号。
BDT65C 价格&库存

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