物料型号：
- BDV64/64A/64B/64C
器件简介：
- 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-3PN封装，是BDV65/65A/65B/65C的补充型号，并且具有达林顿结构，适用于通用目的放大应用。
引脚分配：
- 1: 基极
- 2: 集电极；连接到安装底
- 3: 发射极
参数特性：
- 绝对最大额定值（Tc=25°C）：
- 集电极-基极电压（VCBO）：BDV64为-60V，BDV64A为-80V，BDV64B为-100V，BDV64C为-120V。
- 发射极-基极电压（VEBO）：开路集电极为-5V。
- 集电极电流（IC）：连续-12A，峰值-15A。
- 基极电流（IB）：-0.5A。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-65~150°C。
- 特性（Tj=25°C，除非另有说明）：
- 击穿电压（V(BR)CEO）：BDV64为-60V，BDV64A为-80V，BDV64B为-100V，BDV64C为-120V。
- 饱和电压（VCEsat）：IC=-5A时，BDV64为-2.0V，BDV64A为-2.0V。
- 基极-发射极导通电压（VBE）：IC=-5A时，BDV64为-2.5V，BDV64A为-2.5V。
- 截止电流（ICBO）：BDV64为-0.4mA，BDV64A为-0.4mA。
- 集电极截止电流（ICEO）：BDV64为-2mA。
- 发射极截止电流（IEBO）：VEB=-5V时，BDV64为-5mA。
- 直流电流增益（hFE）：IC=-5A时，BDV64为1000。
- 二极管正向电压（VEC）：IE=-10A时，BDV64为-3.5V。
- 热特性：
- 结到壳热阻（Rth j-c）：1.0°C/W。
功能详解：
- 这些晶体管设计用于通用目的放大应用，具有高直流电流增益和达林顿结构，可以提供较大的输出电流。
应用信息：
- 适用于通用目的放大应用。
封装信息：
- TO-3PN封装，具体尺寸图见文档中的图2。
