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BDX34C

BDX34C

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BDX34C - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BDX34C 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX33/A/B/C APPLICATIONS ·For power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BDX34/A/B/C Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER BDX34 VCBO Collector-base voltage BDX34A BDX34B BDX34C BDX34 VCEO Collector-emitter voltage BDX34A BDX34B BDX34C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current-DC Collector current-Pulse Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -45 -60 -80 -100 -45 -60 -80 -100 -5 -10 -15 -0.25 70 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case MAX 1.78 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BDX34 Collector-emitter sustaining voltage BDX34A IC=-0.1A, IB=0 BDX34B BDX34C Collector-emitter saturation voltage BDX34/34A BDX34B/34C BDX34/34A VBE Base-emitter on voltage BDX34B/34C BDX34 BDX34A ICBO Collector cut-off current BDX34B BDX34C BDX34 BDX34A ICEO Collector cut-off current BDX34B BDX34C IEBO hFE Emitter cut-off current BDX34/34A DC current gain BDX34B/34C VF Forward diode voltage IC=-3A ; VCE=-3V IF=-8A VCE=-40V, IB=0 VCE=-50V, IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-4A ; VCE=-3V 750 VCB=-80V, IE=0 VCB=-100V, IE=0 VCE=-22V, IB=0 VCE=-30V, IB=0 IC=-3A ; VCE=-3V VCB=-45V, IE=0 VCB=-60V, IE=0 IC=-4A ,IB=-8mA -80 -100 CONDITIONS MIN -45 -60 SYMBOL BDX34/A/B/C TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) V VCEsat -2.5 IC=-3A ,IB=-6mA IC=-4A ; VCE=-3V -2.5 V V -0.2 mA -0.5 mA -5.0 mA -4.0 V 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE BDX34/A/B/C Fig.2 Outline dimensions 3
BDX34C
1. 物料型号: - BDX34/A/B/C是SavantIC Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。

2. 器件简介: - 这些器件采用TO-220C封装,具有高直流电流增益,是达林顿配置,是BDX33/A/B/C的互补型号。 - 适用于功率线性和开关应用。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极,连接到安装底(Collector; connected to mounting base) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C环境温度下): - 集电极-基极电压(VCBO):BDX34/A/B/C分别为-45V/-60V/-80V/-100V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BDX34/A/B/C分别为-45V/-60V/-80V/-100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极直流电流(Ic):-10A。 - 集电极脉冲电流(ICM):-15A。 - 基极电流(1s):-0.25A。 - 集电极功耗(Pc):70W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至150°C。 - 热特性: - 结到外壳的热阻(Rhjc):1.78°C/W。

5. 功能详解: - 该器件为PNP型硅功率晶体管,适用于功率线性和开关应用,具有高直流电流增益和达林顿配置,能够承受较高的电压和电流。

6. 应用信息: - 适用于功率线性和开关应用。

7. 封装信息: - 采用TO-220C封装。
BDX34C 价格&库存

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