BDY58

BDY58

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BDY58 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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  • 价格&库存
BDY58 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDY57 BDY58 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current capability ·Fast switching speed APPLICATIONS ·For use in low frequency large signal power amplifications PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO PARAMETER BDY57 Collector-base voltage BDY58 BDY57 VCEO VEBO IC IB PT Tj Tstg Collector-emitter voltage BDY58 Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base 125 10 25 6 175 200 -65~200 V A A W Open emitter 160 80 V CONDITIONS VALUE 120 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.0 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BDY57 IC=0.1A ; IB=0 BDY58 BDY57 IC=5mA ; IE=0 BDY58 VCEsat VBEsat ICBO ICER IEBO hFE-1 hFE-2 fT ton Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Turn-on time IC=10A ;IB=1A IC=10A ;IB=1A VCB=100V; IE=0 VCE=80V; RBE=10?;TC=100 VEB=10V; IC=0 IC=10A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V IC=1A ; VCE=15V,f=10MHz IC=15A ;IB=1.5A CONDITIONS BDY57 BDY58 SYMBOL MIN 80 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage V 125 120 V 160 1.4 1.4 0.5 10 0.5 20 15 10 1.0 MHz µs 60 V V mA mA mA V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BDY57 BDY58 Fig.2 Outline dimensions 3
BDY58
1. 物料型号: - BDY57和BDY58是由SavantIC Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-3封装,具有高电流能力和快速开关速度,适用于低频大信号功率放大。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:发射极(Emitter) - 引脚3:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - BDY57和BDY58的集-基电压(VCBO)分别为120V和160V。 - 集-射电压(VCEO)分别为80V和125V。 - 发射极-基极电压(VEBO)为10V。 - 集电极电流(Ic)为25A,基极电流(IB)为6A。 - 总功率耗散(PT)为175W。 - 结温(Tj)为200°C。 - 存储温度(Tstg)范围为-65°C至200°C。 - 热特性: - 从结到外壳的热阻(Rtjc)为1.0℃/W。 - 电气特性: - 包括维持电压、击穿电压、饱和电压、截止电流、直流电流增益、转换频率、导通时间和开通时间等参数。

5. 功能详解: - 这些晶体管主要用于低频大信号功率放大,具有高电流能力和快速开关速度的特点。

6. 应用信息: - 适用于低频大信号功率放大。

7. 封装信息: - 采用TO-3封装,具体尺寸见图2。
BDY58 价格&库存

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