BU2520A

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
BU2520A - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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BU2520A 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2520A DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ·High speed switching APPLICATIONS ·For use in horizontal deflection circuits of large screen colour TV receivers. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current (Pulse) Base current Base current(peak) Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 7.5 10 25 6 9 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2520A CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT SYMBOL VCEO(SUS) Collector-emitter breakdown voltage IC=100mA; IB=0;L=25mH 700 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 7.5 13.5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A; IB=1.2A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A; IB=1.2A VCE=rated; VBE=0 T=125°C VEB=7.5V; IC=0 1.3 1.0 2.0 1.0 V ICES Collector cut-off current mA IEBO Emitter cut-off current mA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 6 13 26 hFE-2 DC current gain IC=6A ; VCE=5V 5 7 10 CC Collector capacitance IE=0 VCB=10V;f=1MHz 115 pF 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU2520A Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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BU2520A

1. 物料型号：BU2520A，由SavantIC Semiconductor生产的一款Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介： - 该器件采用TO-3PN封装。 - 具有高电压和高速开关特性。 - 应用于大屏幕彩色电视机的水平偏转电路。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：1500V - 集电极-发射极电压（VCEO）：800V - 发射极-基极电压（VEBO）：7.5V - 集电极电流（DC）（Ic）：10A - 集电极电流（脉冲）（ICM）：25A - 基极电流（IB）：6A - 基极电流（峰值）（IBM）：9A - 集电极功率耗散（Pc）：125W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65至150°C

5. 功能详解： - 该器件的主要特性包括集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）、发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）、集电极-发射极饱和电压（VCEsat）、基极-发射极饱和电压（VBEsat）、集电极截止电流（ICEs）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE-1和hFE-2）以及集电极电容（Cc）。

6. 应用信息： - 用于大屏幕彩色电视机的水平偏转电路。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PN，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。

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