BU506DF

BU506DF

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BU506DF - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU506DF 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU506DF DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High voltage ·High-speed switching ·Built-in damper diode. APPLICATIONS ·Horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ·Line-operated switch-mode applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current (Pulse) Base current Base current(peak) Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 700 6 5 8 3 5 20 150 -65-150 UNIT V V V A A A A W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU506DF CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage DC current gain DC current gain Collector cut-off current Emitter cut-off current Diode forward voltage CONDITIONS IC=100mA; IB=0,L=25mH IC=3A; IB=1.33A IC=3A; IB=1.33A IC=0.1A ; VCE=5V IC=3A ; VCE=5V VCE=rated; VBE=0 Tj=125 VEB=6V; IC=0 IF=3A; 1.5 6 2.25 0.5 1.0 200 2.2 mA mA V 13 MIN 700 1.0 1.3 30 TYP. MAX UNIT V V V SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat hFE-1 hFE-2 ICES IEBO VF Switching times ts tf Storage time Fall time 6.5 0.7 µs µs ICM = 3 A; IB(end) = 1A LB = 12µH 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU506DF Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: ±0.15 mm) 3
BU506DF
1. 物料型号:BU506DF,这是一个Silicon NPN Power Transistors(硅NPN功率晶体管)。

2. 器件简介: - 采用TO-220Fa封装。 - 具有高电压、高速开关特性。 - 内置阻尼二极管。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):1500V,开路发射极。 - 集电极-发射极电压(VCEO):700V,开路基极。 - 发射极-基极电压(VEBO):6V,开路集电极。 - 集电极电流(DC)(Ic):5A。 - 集电极电流(脉冲)(IcM):8A。 - 基极电流(IB):3A。 - 基极电流(峰值)(IBM):5A。 - 总功率耗散(PT):20W,Tc=25°C。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65至150°C。

5. 功能详解: - 维持电压(VCEO(SUS)):700V,Ic=100mA;IB=0,L=25mH。 - 饱和电压(VCEsat):1.0V,Ic=3A;IB=1.33A。 - 基极-发射极饱和电压(VBEsat):1.3V,Ic=3A;IB=1.33A。 - 直流电流增益(hFE-1):6至30,Ic=0.1A;Vce=5V。 - 直流电流增益(hFE-2):2.25,Ic=3A;Vce=5V。 - 集电极截止电流(ICEs):0.5至1.0mA,Vce=额定值;VBE=0,T=125°C。 - 发射极截止电流(IEBO):200mA,VEB=6V;Ic=0。 - 二极管正向电压(VF):1.5至2.2V,Ir=3A。 - 存储时间(ts):6.5s,Icm=3A;IB(end)=1A,LB=12H,om。 - 下降时间(t):0.7s。

6. 应用信息: - 用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。 - 用于线路操作的开关模式应用。

7. 封装信息: - 图2显示了TO-220Fa封装的外形尺寸,未标明的公差为±0.15mm。
BU506DF 价格&库存

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