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BU932

BU932

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BU932 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU932 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU932 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Automotive ignition applications ·Inverters circuits for motor controls PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Base current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC/25 Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE 500 450 5 15 30 1 5 150 200 -40~200 UNIT V V V A A A A W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case VALUE 1.0 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Diode forward voltage CONDITIONS IC=100mA ; IB=0 IC=8A; IB=150mA IC=8A; IB=150mA VCE=450V ;IB=0 VCE=450V ;VBE=0 TC=125 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=10V IF=10A 300 MIN 450 TYP. BU932 SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBEsat ICEO ICES IEBO hFE VF MAX UNIT V 1.8 2.2 1.0 1.0 5.0 50 V V mA mA mA 2.8 V 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU932 Fig.2 Outline dimensions 3
BU932
1. 物料型号:BU932,由SavantIC Semiconductor生产。

2. 器件简介: - 该器件为Silicon NPN Power Transistors,适用于达林顿应用、汽车点火应用以及电机控制的逆变器电路。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):开发射极时为500V - 集电极-发射极电压(VCEO):开基极时为450V - 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为5V - 集电极电流(IC):15A - 集电极电流峰值(ICM):30A - 基极电流(IB):1A - 基极电流峰值(IBM):5A - 总功率耗散(PT):当结温TC≤ 150°C时为150W - 结温(Tj):200°C - 存储温度(Tstg):-40~200°C

5. 功能详解: - 包括特性表,其中列出了在不同条件下的最小值、典型值和最大值,例如维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VCEsat)、饱和基极-发射极电压(VBEsat)、截止集电极电流(ICEO)、截止集电极电流(ICES)、截止发射极电流(IEBO)和直流电流增益(hFE)等。

6. 应用信息: - 适用于达林顿应用、汽车点火应用和电机控制的逆变器电路。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的简化外形图和符号,以及封装的尺寸图。
BU932 价格&库存

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