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BUH1015HI

BUH1015HI

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BUH1015HI - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUH1015HI 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUH1015HI DESCRIPTION ·With TO-3PML package. ·High voltage. ·High switching speed. APPLICATIONS ·Horizontal deflection for colour TV and monitors. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current -peak Base current Base current -peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature tp
BUH1015HI
1. 物料型号: - 型号为BUH1015HI。

2. 器件简介: - BUH1015HI是一款硅NPN功率晶体管,具有TO-3PML封装,高电压和高开关速度。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):1500V,开路发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):700V,开路基极 - 发射极-基极电压(VEBO):10V,开路集电极 - 集电极电流(DC)(Ic):14A - 集电极峰值电流(ICM):18A,t<5ms - 基极电流(IB):8A - 基极峰值电流(IBM):11A,t<5ms - 集电极功率耗散(Pc):70W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65~150°C

5. 功能详解: - 该器件的主要特性包括发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO)、集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极饱和电压(VBEsat)、集电极截止电流(IcEs)、发射极截止电流(IEBO)和直流电流增益(hFE)。

6. 应用信息: - 该器件适用于彩色电视和监视器的水平偏转。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PML,文档中提供了简化外形图和符号。
BUH1015HI 价格&库存

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