1. 物料型号：BUL381，这是SavantIC Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 采用TO-220C封装。
- 具有高电压能力和非常高的开关速度。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）。
- 2号引脚：集电极，与W安装底座相连（Collector;connected to W mounting base）。
- 3号引脚：发射极（Emitter）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- VCBO（集电极-基极电压）：800V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：400V。
- VEBO（发射极-基极电压）：9V。
- lc（集电极电流）：5A。
- IcM（集电极电流峰值）：8A。
- Is（基极电流）：2A。
- IBM（基极电流峰值）：4A。
- PT（总功率耗散）：70W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-65°C至150°C。
5. 功能详解：
- 热特性参数：
- Rthj-c（从结到外壳的热阻）：1.78°C/W。
- 特性参数（在25°C结温下，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：400V。
- V(BR)EBO（发射极-基极击穿电压）：9V。
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）在不同集电极电流下的值。
- VBEsat（基极-发射极饱和电压）在不同集电极电流下的值。
- IcEs（集电极截止电流）和ICEO（集电极截止电流）。
- hFE（直流电流增益）在不同集电极电流下的值。
- 开关时间参数，包括ton（开通时间）和ts（存储时间）。
6. 应用信息：该器件设计用于照明应用和低成本开关模式电源。
7. 封装信息：TO-220C封装，具体尺寸见图1简化外形图和符号。
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