1. 物料型号：
- 型号为BUT18F和BUT18AF，是Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220Fa封装，具有高电压、高速特性，适用于转换器、逆变器、开关稳压器和电机控制系统。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：集电极（Collector）
- 引脚3：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：BUT18F为850V，BUT18AF为1000V
- VCEO（集电极-发射极电压）：BUT18F为400V，BUT18AF为450V
- VEBO（发射极-基极电压）：9V
- Ic（集电极电流）：6A
- IcM（集电极峰值电流）：12A
- Ib（基极电流）：3A
- IBM（基极峰值电流）：6A
- Ptot（总功率耗散）：33W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-65至150°C
5. 功能详解和应用信息：
- 这些晶体管在25°C的结温下工作，具有以下特性：
- VCEO(sus)：维持电压，BUT18F和BUT18AF分别为400V和450V。
- VCEsat：饱和电压，BUT18F和BUT18AF在不同条件下分别为1.5V和1.3V。
- VBEsat：基极-发射极饱和电压，BUT18F和BUT18AF在不同条件下均为1.3V。
- ICES：截止电流，BUT18F和BUT18AF均为1.0至2.0mA。
- IEBO：发射极截止电流，10mA。
- hFE-1和hFE-2：直流电流增益，BUT18F和BUT18AF在不同条件下分别为10至35。
- 切换时间：包括开通时间、存储时间和下降时间，分别为1.0µs、4.0µs和0.8µs。
6. 封装信息：
- 封装为TO-220Fa，PDF中提供了简化外形图和符号，以及外形尺寸图，未标明的公差为±0.15mm。
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