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BUV48A

BUV48A

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    BUV48A - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BUV48A 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·Switching regulators ·Inverters ·Solenoid and relay drivers ·Deflection circuits PINNING (See Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BUV48 BUV48A Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO PARAMETER BUV48 Collector-base voltage BUV48A BUV48 VCEO VEBO IC ICM IB IBM PT Tj Tstg Collector-emitter voltage BUV48A Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Base current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base 450 7 15 30 5 20 150 150 -65~175 V A A A A W Open emitter 1000 400 V CONDITIONS VALUE 850 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 1.0 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER BUV48 IC=0.2A ; IB=0; L=25mH BUV48A IE=50mA; IC=0 IC=10A; IB=2A TC=100 IC=8A ;IB=1.6A TC=100 IC=15A ;IB=3A CONDITIONS SYMBOL BUV48 BUV48A MIN 400 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage V 450 7 1.5 2.0 1.5 2.0 V VEBO(BR) Emitter-base breakdown voltage BUV48 BUV48A BUV48 BUV48A BUV48 BUV48A VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage 5.0 IC=12A ;IB=2.4A IC=10A; IB=2A TC=100 IC=8A ;IB=1.6A TC=100 VCEX=rated VCES; VBE(off)=1.5V TC=125 VEB=5V; IC=0 BUV48 IC=10A ; VCE=5V 8 BUV48A IC=8A ; VCE=5V IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz 350 V VBEsat Base-emitter saturation voltage 1.6 V ICEX IEBO Collector cut-off current Emitter cut-off current 0.2 2.0 0.1 mA mA hFE DC current gain COB Output capacitance pF Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time 0.1 0.4 1.3 0.2 0.2 0.7 2.0 0.4 µs µs µs µs for BUV48 IC=10A ;IB1=2A; VCC=300V VBE(off)=5V for BUV48A IC=8A ;IB1=1.6A; VCC=300V VBE(off)=5V 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BUV48 BUV48A Fig.2 Outline dimensions 3
BUV48A
物料型号: - BUV48 - BUV48A

器件简介: - 这些是SavantIC Semiconductor生产的NPN型功率晶体管,具有TO-3PN封装,高电压和高速特性。

引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):BUV48为850V,BUV48A为1000V - VCEO(集电极-发射极电压):BUV48为400V,BUV48A为450V - VEBO(发射极-基极电压):7V - Ic(集电极电流):15A - ICM(集电极峰值电流):30A - Ib(基极电流):5A - IBM(基极峰值电流):20A - PT(总功率耗散):150W - Tj(结温):150°C - Tstg(存储温度):-65°C至175°C

功能详解: - 这些晶体管适用于开关调节器、逆变器、电磁线圈和继电器驱动器以及偏转电路。 - 其热特性包括从结到外壳的热阻Rjc,最大值为1.0℃/W。

应用信息: - 开关调节器 - 逆变器 - 电磁线圈和继电器驱动器 - 偏转电路

封装信息: - TO-3PN封装,具体尺寸和符号见文档中的图1(简化外形图和符号)和图2(外形尺寸图)。
BUV48A 价格&库存

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