SE601
QC3.0/FCP/AFC 快充协议控制器
General Description(产品描述)
Features(产品特性)
SE601 是一款 USB 端口快速充电协议控制芯
片。SE601 智能识别多种快速充电协议,对手
机等受电设备进行快速充电。SE601 根据受电
设备 发送的电压请求能够精确的调整 VBUS
输出电压,从而实现快速充电。
SE601 在调整 5V 输出电压前会自动检测连
接的设备是否支持苹果快充协议。如果支持,
苹果设备会以最大电流充电。如果不支持,会
接着检测是否支持调压快充协议。如果连接的
设备不支持调压快充协议,SE601 将禁止输出
电压调整,并配置供电设备为 USB DCP,确
保受电设备安全并获取最大电流充电。如果支
持调压快充协议,则开始接受请求指令进行输
出电压的调整。
SE601 可通过 QC_EN 开启或关闭高压快充
功能,使得应用更灵活。
SE601 采用 SOT23-6 封装
支持华为 FCP 快速充电协议
支持三星 AFC 快速充电协议
支持高通 QC3.0/QC2.0 快速充电协议
支持在 D+和 D-加载 2.7V 电压的 USB DCP,
可为苹果设备提供最大 2.4A 充电电流
符合 USB BC1.2 协议,支持 USB DCP 短接
D+和 D符合中国电信行业标准 YD/T 1591-2009,
支持短接 D+和 D自动为接入设备切换适用协议
SOT23-6 Package
Applications(产品应用)
适配器
车载充电器
其他 USB 端口充电器
移动电源
Typical Application(典型应用电路)
RevX.X
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Pin Configuration(管脚排列)
SOT23-6
Pin Description(管脚功能描述)
NO
.
Pin
Name
Pin Function Description
1
DP
USB positive data line.
2
GND
Ground connection.
3
FBO
Feedback output. Current source/sink output.
4
QC_EN
FCP/QC function enable, H-z to enable FCP/QC and LOW to disable.
5
VDD
Power supply.
6
DM
USB negative data line.
Functional Block Diagram(功能框图)
RevX.X
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Absolute Maximum Ratings(最大额定参数)
Symbol
Parameter
Maximum
Units
VIN-PGND
-0.3~6.5
V
OTHER-PGND
-0.3~6.5
V
VESD
人体放电模式 (HBM)
±4000
V
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Operating Temperature
TOP
-40 to +85
°C
Storage Temperature
TST
-65 to 150
°C
+300
°C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec)
Electrical Characteristics(电气参数)
(Tj=25℃ unless otherwise specified)
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
5.5
V
芯片供电 VDD 相关
VVDD
内部供电引脚电压
3.2
IVDD
VDD 持续供电电流
VDD=5V
200
uA
VVDD(SHUNT)
VDD 钳位电压
IVDD=3.5mA
4.75
V
VDD 输入欠压检测 UVLO
VDD(ON)
VDD 开启电压
VVDD 升高
2.9
3.0
3.1
V
VDD(OFF)
VDD 关断电压
VVDD 下降
2.8
2.9
3.0
V
ΔVUVLO
UVLO 迟滞
VDD(ON)- VDD
0.1
(OFF)
V
数据线 D+/D-特性(HVDCP 接口)
VDAT(REF)
数据线检测电压
0.25
0.325
0.4
V
VSEL(REF)
输出电压选择参考
1.8
2
2.2
V
TGLITCH(DP)HIGH
D+高电平扰动滤波时间
1
1.25
1.5
s
TGLITCH(DM)LOW
D-低电平扰动滤波时间
TGLITCH(V)CHANGE
输出电压扰动滤波时间
20
40
60
ms
TGLITCH(CONT)CHANGE
连续模式的扰动滤波时间
100
150
200
us
300
500
800
KΩ
14.2
19.53
24.5
KΩ
1
ms
VDD=3.1-7V,
RDAT(LKG)
D+漏泄电阻
V(D+)=0.5-3.6V,
开关 N1 断开
RDM(DWN)
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D-下拉电阻
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5
VDD=3.1-7V,
RON(N1)
开关 N1 导通电阻
V(D+)≤3.6V,
20
40
Ω
1
nF
IDRAIN=200uA
CDAT
数据线电容
VTH(PD)
受电设备连接检测电压阈值
0.25
0.325
0.4
V
TDPD
受电设备连接检测滤波时间
120
160
200
ms
ΔIT(UP)
电压升高时电流源阶跃步长
RIREF=100KΩ
2
uA
ΔIT(DO)
电压降低时电流源阶跃步长
RIREF=100KΩ
2
uA
TDUR(step)
电压变化时步进持续时间
QC3.0 mode
80
100
120
us
1.08
1.2
1.32
V
DCP 1.2V 充电模式
VDAT(1.2V)
D+/D-数据线电压
RDAT(1.2V)
D+/D-数据线输出阻抗
100
KΩ
Apple 2.4A 充电模式
VDAT(2.7V)
D+/D-数据线电压
RDAT(2.7V)
D+/D-数据线输出阻抗
2.57
2.7
2.84
33.6
V
KΩ
FCP 充电模式
VTX-VOH
D- FCP TX Valid High
VTX-VOL
D- FCP TX Valid Low
VRX-VIH
D- FCP RX Valid High
VRX-VIL
D- FCP RX Valid High
RPD
D-下拉阻抗
UI
Unit Interval for PHY
FCLK=125KHz
Trise
FCP Pulse Rise Time
Tfall
FCP Pulse Fall Time
RevX.X
2.35
1.5
3.6
V
0.3
V
3.6
V
1.0
V
400
500
600
Ω
144
160
176
us
10% - 90%
1
2.5
us
90% - 10%
1
2.5
us
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Outline Drawing For SOT23-6(封装尺寸 SOT23-6)
联系方式:
北京思旺电子技术有限公司–中国总部
地址:中国北京市海淀区信息路 22 号上地科技综合楼 B 座二层
邮编:100085
电话:010-82895700
传真:010-82895706
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