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2SC2715

2SC2715

  • 厂商:

    SECOS

  • 封装:

  • 描述:

    2SC2715 - NPN Plastic-Encapsulate Transistor - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SC2715 数据手册
2SC2715 Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulate Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES   SOT-23 A 3 3 High Power Gain Recommended for FM IF,OSC Stage and AM CONV. IF Stage. 1 L Top View CB 1 2 2 CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank Range Marking 2SC2715-R 40~80 RR1 2SC2715-O 70~140 RO1 2SC2715-Y 120~240 RY1 K E D F G Millimeter Min. Max. 2.80 3.04 2.10 2.55 1.20 1.40 0.89 1.15 1.78 2.04 0.30 0.50 H J PACKAGE INFORMATION Package SOT-23 MPQ 3K LeaderSize 7’ inch REF. A B C D E F REF. G H J K L Millimeter Min. Max. 0.09 0.18 0.45 0.60 0.08 0.177 0.6 REF. 0.89 1.02 Collector   Base  Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Power Dissipation Junction, Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ, TSTG Ratings 35 30 4 50 350 150, -55~150 Unit V V V mA mW °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current DC Current Gain Collector to Emitter Saturation Voltage Base to Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Power Gain http://www.SeCoSGmbH.com/ Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT Gpe Min. 35 30 4 40 100 27 Typ. - Max. 0.1 0.1 240 0.4 1 400 33 Unit V V V μA μA V V MHz dB Test Condition IC=10μA, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=10μA, IC=0 VCB=35V, IE=0 VEB=4V, IC=0 VCE=12V, IC=2mA IC=10mA, IB=1mA IC=10mA, IB=1mA VCE=10V, IC=1mA VCE=6V, IC=1mA, f=10.7MHz Any changes of specification will not be informed individually. 14-Mar-2011 Rev. A Page 1 of 4 2SC2715 Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulate Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 14-Mar-2011 Rev. A Page 2 of 4 2SC2715 Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulate Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 14-Mar-2011 Rev. A Page 3 of 4 2SC2715 Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulate Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 14-Mar-2011 Rev. A Page 4 of 4
2SC2715
### 物料型号 - 型号:2SC2715 - 电压:35V NPN塑封晶体管

### 器件简介 - 2SC2715是一款35V NPN塑封晶体管,适用于FM中频、振荡器阶段和AM转换中频阶段。

### 引脚分配 - SOT-23封装:3K,LeaderSize为7英寸。

### 参数特性 - 绝对最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):35V - 集电极-发射极电压(VCEO):30V - 发射极-基极电压(VEBO):4V - 集电极电流-连续(Ic):50mA - 集电极功率耗散(Pc):350mW - 结点、存储温度(TJ,TSTG):150°C至-55°C

- 电气特性: - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):35V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):30V - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):4V - 集电极截止电流(ICBO):0.1μA - 发射极截止电流(IEBO):0.1μA - DC电流增益(hFE):40至240 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):1V - 过渡频率(fr):100至400MHz - 功率增益(Gpe):27至33dB

### 功能详解 - 2SC2715晶体管具有高功率增益,适用于高频应用,如FM中频放大和振荡器。

### 应用信息 - 推荐用于FM中频、振荡器阶段和AM转换中频阶段。

### 封装信息 - SOT-23:3K,LeaderSize为7英寸。 - 具体尺寸参数如下: - A:2.80至3.04毫米 - B:2.10至2.55毫米 - C:1.20至1.40毫米 - D:0.89至1.15毫米 - E:1.78至2.04毫米 - F:0.30至0.50毫米 - G:0.09至0.18毫米 - H:0.45至0.60毫米 - J:0.08至0.177毫米 - K:0.6毫米
2SC2715 价格&库存

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