2SD596

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SECOS
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2SD596 - 0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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2SD596 Elektronische Bauelemente 0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES High DC Current gain Complementary to 2SB624 A L 3 SOT-23 3 Top View CB 1 2 2 MARKING DV4 PACKAGE INFORMATION Package SOT-23 MPQ 3K Leader Size 7 inch K 1 E D F REF. A B C D E F G Millimeter Min. Max. 2.80 3.04 2.10 2.55 1.20 1.40 0.89 1.15 1.78 2.04 0.30 0.50 H REF. G H J K L J Millimeter Min. Max. 0.09 0.18 0.45 0.60 0.08 0.177 0.6 REF. 0.89 1.02 Collector 3 1 Base 2 Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified) Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Power Dissipation Junction, Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ, TSTG Rating 30 25 5 700 200 150, -55~150 Unit V V V mA mW ° C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified) Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current DC Current Gain 1 1 Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE (1) hFE (2) VCE(sat) VBE fT Cob Min. 30 25 5 200 50 0.6 170 - Typ. 12 Max. 0.1 0.1 320 0.6 0.7 - Unit V V V µA µA Test Condition IC=100µA, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=100µA, IC=0 VCB=30V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=700mA IC=700mA, IB=70mA VCE=6V, IC=10mA VCE=6V, IC=10mA VCB=6V, IE=0, f=10MHZ Collector to Emitter Saturation Voltage 1 Base to Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector output capacitance V V MHz pF Note: 1. Pulse width≦350µs, Duty Cycle≦2%. http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 15-Jul-2011 Rev. A Page 1 of 3 2SD596 Elektronische Bauelemente 0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 15-Jul-2011 Rev. A Page 2 of 3 2SD596 Elektronische Bauelemente 0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 15-Jul-2011 Rev. A Page 3 of 3

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2SD596

### 物料型号 - 型号：2SD596

### 器件简介 - 描述：0.7A, 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor（0.7安培，30伏特NPN塑料封装晶体管）

### 引脚分配 - SOT-23封装：3K，7英寸胶带包装 - 引脚尺寸： - A：2.80mm至3.04mm - B：2.10mm至2.55mm - C：1.20mm至1.40mm - D：0.89mm至1.15mm - E：1.78mm至2.04mm - F：0.30mm至0.50mm - G：0.09mm至0.18mm - H：0.45mm至0.60mm - J：0.08mm至0.177mm - K：0.6mm

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：30V - 集电极-发射极电压（VCEO）：25V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：700mA - 集电极功率耗散（Pc）：200mW - 结、存储温度（TJ, TSTG）：-55至150°C

- 电气特性： - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：30V - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：25V - 发射极-基极击穿电压（VBREBO）：5V - 集电极截止电流（IcBO）：小于0.1μA - 发射极截止电流（IEBO）：小于0.1μA - DC电流增益（hFE）： - hFE(1)：200至320（VcE=1V, Ic=100mA） - hFE(2)：50（VcE=1V, Ic=700mA） - 集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）：小于0.6V（Ic=700mA, IB=70mA） - 基极-发射极饱和电压（VBE）：0.6至0.7V（VcE=6V, Ic=10mA） - 转换频率（fr）：170MHz（VcE=6V, Ic=10mA） - 集电极输出电容（Cab）：12pF（VcB=6V, Ic=0, f=10MHz）

### 功能详解 - 特点：高直流电流增益，与2SB624互补 - 标记：DV4

### 应用信息 - RoHS合规产品：带有“-C”后缀的指定无卤素和无铅产品

### 封装信息 - SOT-23：3K，7英寸胶带包装

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