BCP194

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BCP194 - Planar Medium Power Transistor - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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BCP194 Elektronische Bauelemente NPN Silicon Planar Medium Power Transistor RoHS Compliant Product Description The BCP194 is designed for medium power amplifier applications. SOT-89 Features * 1 Amp Continuous Current * 60 Volt VCEO * Complementary to BCP195 REF. A B C D E F Millimeter Min. Max. 4.4 4.6 4.05 4.25 1.50 1.70 1.30 1.50 2.40 2.60 0.89 1.20 REF. G H I J K L M Millimeter Min. Max. 3.00 REF. 1.50 REF. 0.40 0.52 1.40 1.60 0.35 0.41 5 q TYP. 0.70 REF. Absolute Maximum Ratings at TA=25 C Symbol VCBO VCEO VE BO Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) Collector Current (Pulse) Base Current Total Power Dissipation Junction and Storage Temperature o o Parameter Value 80 60 5 1 2 200 1 -55~+150 Units V V V A mA W O IC IB PD TJ,Tstg C ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 C unless otherwise specified Typ. Symbol Min 80 B V CBO * B VC E O Collector-Emitter Breakdown Voltage 60 B V EBO Emitter-Base Breakdown Voltage 5 Collector-Base Cutoff Current I CBO Emitter-Base Cutoff Current I CES Emitter-Base Cutoff Current I E BO *VCE(sat)1 Collector Saturation Voltage *VCE(sat)2 *VBE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage *VBE (on) *hFE1 100 *hFE2 100 DC Current Gain *hFE3 80 30 *hFE4 Gain-Bandwidth Product fT 150 Output Capacitance Cob * Measured under pulse condition. Pu l s e w i dt h≦300µs , Du t y Cy c l e≦2% Parameter Collector-B a se Breakdown Voltage http://www.SeCoSGmbH.com Max 100 100 100 0.25 0.5 1.1 1 300 10 U n it V V V nA nA nA V V V V Test Conditions I C=100 µA,IE=0 I C=10 mA,IB=0 I E=100 µA,IC=0 VCB= 6 0V,IE=0 VCES=60V VEB=4V, IC=0 I C=500m A,IB=50mA I C=1 A,IB=100mA I C=1 A,IB=100mA I C=1 A,VCE=5V VCE= 5 V, I C=1mA VCE= 5 V, I C=500mA VCE= 5 V, I C=1A VCE= 5 V, I C=2 A VCE= 10V, IC=50m A,f=100MHz VCB=10V , f=1MHz,IE=0 MH z pF Any changing of specification will not be informed individual 01-Jun-2002 Rev. A Page 1 of 2 BCP194 Elektronische Bauelemente NPN Silicon Planar Medium Power Transistor Characteristics Curve http://www.SeCoSGmbH.com Any changing of specification will not be informed individual 01-Jun-2002 Rev. A Page 2 of 2

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BCP194

### 物料型号 - 型号：BCP194 - 封装：SOT-89

### 器件简介 BCP194是一款为中等功率放大应用设计的NPN硅平面中功率晶体管。

### 引脚分配 | REF. | 毫米（Min. - Max.） | | --- | --- | | A | 4.4 - 4.6 | | B | 4.05 - 4.25 | | C | 1.50 - 1.70 | | D | 1.30 - 1.50 | | E | 2.40 - 2.60 | | F | 0.89 - 1.20 | | G | 3.00 | | H | 1.50 | | J | 1.40 - 1.60 | | K | 0.35 - 0.41 | | L | 5° TYP. | | M | 0.70 |

### 参数特性 - 连续电流：1A - 集电极-发射极电压（VCEO）：60V - 与BCP195互补

### 功能详解 BCP194晶体管的主要功能是作为中等功率放大器。它具有1A的连续电流和60V的VCEO，适用于需要中等功率增益和电压承受能力的应用。

### 应用信息 该晶体管适用于中等功率放大器应用，可以用于音频放大、开关电源、汽车电子等领域。

### 封装信息 BCP194采用SOT-89封装，这是一种表面贴装封装，适用于自动贴装和手工焊接。

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