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M8050

M8050

  • 厂商:

    SECOS

  • 封装:

  • 描述:

    M8050 - NPN Plastic Encapsulate Transistor - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M8050 数据手册
M8050 Elektronische Bauelemente 40V, 0.8A, 200mW NPN Plastic Encapsulate Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES  SOT-23 A L 3 3 Power dissipation MARKING Product M8050 Marking Code Y11 1 Top View 2 CB 1 2 K E D F G H J PACKAGE INFORMATION Package SOT-23 MPQ 3K LeaderSize 7’ inch REF. A B C D E F Millimeter Min. Max. 2.70 3.04 2.10 2.80 1.20 1.60 0.89 1.40 1.78 2.04 0.30 0.50 REF. G H J K L Millimeter Min. Max. 0.18 0.40 0.60 0.08 0.20 0.6 REF. 0.85 1.15 CLASSIFICATION OF hFE(2) Product-Rank Range M8050-L 80-200 M8050-H 200-300  Base Collector   Emitter MAXIMUM RATINGS (at TA = 25°C unless otherwise specified) PARAMETER Collector - Base Voltage Collector - Emitter Voltage Emitter - Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Power Dissipation Junction, Storage Temperature SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC TJ, TSTG RATINGS 40 25 6 0.8 0.2 150, -55~150 UNIT V V V A W ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at TA = 25°C unless otherwise specified) PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current TEST CONDITIONS SYMBOL V(BR)CBO V(BR)CEO* V(BR)EBO ICBO ICEO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(sat) VBE(sat) fT MIN. 40 25 6 45 80 40 150 TYP. - MAX. 0.1 0.1 300 0.5 1.2 - UNIT V V V µA µA IC =100µA, IE =0 IC = -1mA, IB =0 IE = -100µA, IC =0 VCB = 35V, IE =0 VCE = 20V, IC =0 VCE = 1V, IC = 5mA DC Current Gain VCE = 1V, IC = 100mA VCE = 1V, IC = 800mA Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 800mA, IB = 80mA Base-Emitter Saturation Voltage IC = 800mA, IB = 80mA Transition frequency VCE = 6V, IC = 20mA, f=30MHz *Pulse test:pulse width ≦ 300S, duty cycle ≦ 2%. V V MHz http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 25-Nov-2010 Rev. A Page 1 of 2 M8050 Elektronische Bauelemente 40V, 0.8A, 200mW NPN Plastic Encapsulate Transistor CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 25-Nov-2010 Rev. A Page 2 of 2
M8050
1. 物料型号: - M805040V

2. 器件简介: - 该器件是一个0.8A、200mW的NPN塑料封装晶体管。

3. 引脚分配: - 根据PDF文档,该晶体管采用SOT-23封装,具有3个引脚,通常分别为基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

4. 参数特性: - 产品标记代码:M8050 Y11 - 符合RoHS标准,无卤素和无铅产品以“-C”后缀标识。 - 集电极-基极电压(VCBO):40V - 集电极-发射极电压(VCEO):25V - 发射极-基极电压(VEBO):6V - 集电极连续电流:0.8A - 集电极功率耗散(PC):0.2W - 存储温度范围:-55℃至150℃

5. 功能详解: - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下的值分别为:hFE1(IC=5mA时)最小值为45,hFE2(IC=100mA时)范围为80至300,hFE3(IC=800mA时)最小值为40。 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))在IC=800mA、IB=80mA时为0.5V。 - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat))在IC=800mA、IB=80mA时为1.2V。 - 过渡频率(fT)在VCE=6V、IC=20mA时为150MHz。

6. 应用信息: - 该晶体管适用于一般NPN晶体管的应用场合,如放大、开关等。

7. 封装信息: - 封装类型:SOT-23 - 封装尺寸:3K 7英寸(Min. 0.18mm, Max. 1.15mm)
M8050 价格&库存

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