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TB4S

TB4S

  • 厂商:

    SECOS

  • 封装:

  • 描述:

    TB4S - Voltage 200V ~ 1000V 1.0 Amp Silicon Bridge Rectifiers - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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TB4S 数据手册
TB2S ~ TB10S Elektronische Bauelemente Voltage 200V ~ 1000V 1.0 Amp Silicon Bridge Rectifiers RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES     Glass passivated chip junction High surge overload rating:30A peak Save space on printed circuit boards High temperature soldering guaranteed: 260°C / 10 seconds at 5 lbs. (2.3 kg) tension TBS A + MECHANICAL DATA     Case: Molded plastic body over passivated junctions Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on body Dimensions in inches and (millimeters) Mounting position: Any B F C D E H I REF. F G H I Millimeter Min. 6.30 0.05 4.25 0.50 Max. 6.70 0.15 4.55 0.70 G PACKAGE INFORMATION Package TBS MPQ 4K Leader Size 13 inch REF. A B C D E Millimeter Min. 4.25 4.85 1.15 0.60 3.90 Max. 4.55 5.15 1.45 0.70 4.10 MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.) Parameter Maximum Recurrent Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Instantaneous Forward Voltage @ IFM=0.4A Maximum Average Forward Rectified Current @ TL=100°C Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) On aluminum Typical thermal resistance substrate junction to ambient On glass-epoxy substrate Typical thermal resistance junction to lead Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage@ TA=25°C Operating & Storage Temperature Range Notes: 1. On glass epoxy P.C.B. 2. On aluminum substrate. http://www.SeCoSGmbH.com/ Symbol VRRM VRMS VDC VF IF(AV) Part Number TB2S 200 140 200 TB4S 400 280 400 TB6S 600 420 600 0.95 0.8 1 1.0 2 30 62.5 TB8S 800 560 800 TB10S 1000 700 1000 Unit V V V V A IFSM A RθJA 80 RθJL IR TJ,TSTG 25 10 -55~150 °C / W  A °C Any changes of specification will not be informed individually. 14-Feb-2012 Rev. B Page 1 of 2 TB2S ~ TB10S Elektronische Bauelemente Voltage 200V ~ 1000V 1.0 Amp Silicon Bridge Rectifiers RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. 14-Feb-2012 Rev. B Page 2 of 2
TB4S
1. 物料型号: - 型号包括TB2S至TB10S,这些是1.0安培的硅桥整流器,电压等级从200V至1000V。

2. 器件简介: - 这些器件是硅桥整流器,具有玻璃钝化芯片结、高浪涌过载能力(30A峰值)、节省印刷电路板上的空间、保证在260°C下10秒内承受5磅(2.3公斤)张力的高温焊接。

3. 引脚分配: - 文档中提到引脚为镀层引线,可按照MIL-STD-750, Method 2026进行焊接,并且极性符号标记在器件本体上。

4. 参数特性: - 最大重复反向电压(VRRM)从200V至1000V不等。 - 最大RMS电压(VRMS)从140V至700V不等。 - 最大直流阻断电压(Voc)与最大重复反向电压相同。 - 最大瞬时正向电压(VF)在0.4A下为0.95V。 - 最大平均正向整流电流(IF(AV))在100°C时为0.81至1.02A。 - 峰值正向浪涌电流(IFSM)为30A,持续8.3ms,叠加在额定负载上(JEDEC方法)。

5. 功能详解应用信息: - 这些硅桥整流器适用于需要高浪涌电流和高温度焊接保证的应用场合,如电源整流等。

6. 封装信息: - 封装类型为MPQ,引线尺寸为13英寸。 - 提供了详细的尺寸数据,包括最小值和最大值,单位为毫米。

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