2N1132

厂商：
SEME-LAB
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描述：
2N1132 - SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR - Seme LAB

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SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR 2N1132 • • • High Speed Switching Hermetic TO-39 Metal package. Ideally suited for Small Signal General Purpose and Switching Applications Screening Options Available • ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO VCEO VEBO IC PD PD TJ Tstg Collector – Base Voltage Collector – Emitter Voltage Emitter – Base Voltage Continuous Collector Current TA = 25°C Total Power Dissipation at Derate Above 25°C TC = 25°C Total Power Dissipation at Derate Above 25°C Junction Temperature Range Storage Temperature Range -50V -40V -5V -600mA 600mW 3.4mW/°C 2W 11.4mW/°C -65 to +200°C -65 to +200°C THERMAL PROPERTIES Symbols RθJA RθJC Parameters Thermal Resistance, Junction To Ambient Thermal Resistance, Junction To Case Min. Typ. Max. 292 87.5 Units °C/W °C/W Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders. S emelab Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB Semelab Limited Telephone +44 (0) 1455 556565 Fax +44 (0) 1455 552612 Email: sales@semelab-tt.com Document Number 8069 Issue 1 Page 1 of 3 Website: http://www.semelab-tt.com SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR 2N1132 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise stated) Symbols V(BR)CEO (1) Parameters Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Test Conditions IC = -10mA IC = -10µA VCB = -50V IB = 0 IE = 0 IE = 0 IE = 0 TA = 150°C Min. -40 Typ Max. Units V V(BR)CBO -50 -10 -1.0 -100 -100 -10 -1.3 V -1.5 25 30 100 mA µA ICBO VCB = -30V IEBO ICER VCE(sat) VBE(sat) hFE (1) (1) Emitter Cut-Off Current Collector Cut-Off Current Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Forward-current transfer ratio VEB = -5V VCE = -50V IC = -150mA IC = -150mA IC = -5mA IC = -150mA IC = 0 RBE

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2N1132

1. 物料型号：2N1132

2. 器件简介： - 2N1132是一款硅平面PNP晶体管，具有高速开关特性。 - 采用密封的TO-39金属封装，适合小信号通用和开关应用。 - 提供筛选选项。

3. 引脚分配： - Pin 1 - Emitter（发射极） - Pin 2 - Base（基极） - Pin 3 - Collector（集电极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：-50V - VCEO（集电极-发射极电压）：-40V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - IC（连续集电极电流）：-600mA - PD（总功率耗散在TA=25°C时）：600mW，超过25°C时每摄氏度降低3.4mW - PD（总功率耗散在Tc=25°C时）：2W，超过25°C时每摄氏度降低11.4mW - TJ（结温范围）：-65至+200°C - Tstg（存储温度范围）：-65至+200°C

5. 功能详解： - 电气特性（TA=25°C除非另有说明）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：-40V - V(BR)CBO（集电极-基极击穿电压）：-50V - ICBO（集电极截止电流）：-10nA至-100μA - ICER（集电极截止电流）：≤100μA - VCE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：-1.3V - VBE(sat)（基极-发射极饱和电压）：-1.5V - hFE（正向电流转换比）：25至100 - 动态特性： - hfel（小信号正向电流转换比）：3.0至20 - Cobo（输出电容）：45pF - Cibo（输入电容）：80pF - td（延迟时间）：15ns - tr（上升时间）：25ns - ts（存储时间）：80ns - tf（下降时间）：25ns

6. 应用信息： - 2N1132适用于小信号通用和开关应用。

7. 封装信息： - 采用TO-39（TO-205AD）金属封装。

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