### 物料型号
- 型号:2N2907AC3
### 器件简介
- 描述:低功耗、高速饱和开关,适合高速开关和通用应用场合,提供密封表面贴装封装。有可用的筛选选项。
### 引脚分配
- 封装变体表:
- 变体A:Pad 1 - 集电极,Pad 2 - N/C(无连接),Pad 3 - 发射极,Pad 4 - 基极
- 变体B:Pad 1 - 集电极,Pad 2 - N/C,Pad 3 - 基极,Pad 4 - 发射极
- 变体C:Pad 1 - 集电极,Pad 2 - 发射极,Pad 3 - N/C,Pad 4 - 基极
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 集电极-基极电压(VCBO):-60V
- 集电极-发射极电压(VCEO):-60V
- 基极-发射极电压(VEBO):-5V
- 连续集电极电流(IC):-600mA
- 总功率耗散在TA = 25°C时(PD):500mW
- 37.5°C以上降额因子:3.08mW/°C
- 结温范围(TJ):-65至+200°C
- 存储温度范围(Tstg):-65至+200°C
- 热性能:
- 热阻,结到环境(ROJA):最大325°CM
### 功能详解
- 电气特性(TA = 25°C除非另有说明):
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):Ic = -10mA时,最小值0V,最大值-60V
- 集电极截止电流(ICBO):VCB = -60V时,最小值0A,最大值-10nA
- 发射极截止电流(EBO):VEB = -5V时,最小值0A,最大值-10nA
- 集电极饱和电压(VCE(sat)):Ic = -150mA时,最小值-0.4V,Ic = -500mA时,最大值-1.6V
- 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):Ic = -150mA时,最小值-0.6V,Ic = -500mA时,最大值-2.6V
- 前向电流转移比(hFE):Ic = -0.1mA时,最小值75,Ic = -1.0mA时,典型值100,Ic = -10mA时,最大值450
- 动态特性:
- 小信号前向电流转移比(hfel):Ic = -20mA,f = 100MHz时,最小值2
- 小信号电流增益(hfe):Ic = -1.0mA,f = 1.0KHz时,典型值100
- 输出电容(Cobo):VCB = -10V,f = 1.0MHz时,最大值8pF
- 输入电容(Cibo):VEB = -2V,f = 1.0MHz时,最大值30pF
- 导通时间(ton):Ic = -150mA,IB1 = -15mA时,最大值45ns
- 关闭时间(toff):Ic = -150mA时,最大值300ns
### 应用信息
- 应用:高速开关和通用应用
### 封装信息
- 机械数据:提供详细的尺寸图和封装变体信息。