物料型号：
- 型号为2N6792。
器件简介：
- 2N6792是一款N-Channel MOSFET，封装在密封的TO39金属封装中。
引脚分配：
- TO39 (TO205AF) PINOUTS：
- 1 – Source（源极）
- 2 – Gate（栅极）
- 3 – Drain（漏极）
参数特性：
- $V_{DSS}$（漏源击穿电压）：400V
- $I_{D}$（漏极电流）：2A
- $R_{DS(ON)}$（静态漏源导通电阻）：1.8Ω
- $C_{iss}$（输入电容）：350pF（最小值）
- $Q_g$（总栅极电荷）：15.5nC
- $t_{i(an)}$（开通延迟时间）：40ns
- $t_{r}$（上升时间）：35ns
- $t_{t0(ot)}$（关断延迟时间）：60ns
- $t_{f}$（下降时间）：35ns
功能详解：
- 2N6792是一款N-Channel MOSFET，适用于需要高电压和较大电流的应用场合。其低导通电阻有助于减少功率损耗，而快速的开关特性适合高速开关应用。
应用信息：
- 适用于高电压、大电流的开关应用，如电源管理、电机控制和高频开关电路。
封装信息：
- 该器件采用TO39（TO205AF）金属封装，这是一种适合高可靠性应用的密封封装形式。
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