1. 物料型号：
- BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C
2. 器件简介：
- PNP达林顿硅功率晶体管，适用于通用低频开关应用，提供筛选选项。
3. 引脚分配：
- TO-3(TO-204AA)封装：
- Pin 1 – 基极(B)
- Pin 2 – 发射极(E)
- 外壳 – 集电极(C)
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Tc=25°C）：
- VCEO（集电极-发射极电压）：BDX66为-60V，BDX66A为-80V，BDX66B为-100V，BDX66C为-120V。
- VCBO（集电极-基极电压）：同VCEO。
- VEBO（发射极-基极电压）：-5V。
- ICM（峰值集电极电流）：-20A。
- lB（基极电流）：-0.25A。
- PD（25°C时的总功率耗散）：150W，随温度升高线性降低。
- TJ（结温范围）：-55至+200°C。
- Tstg（储存温度范围）：-55至+200°C。
- 热性能：
- ReJC（结到外壳的热阻）：最大1.17°C/W。
5. 功能详解：
- 电气特性（Tc=25°C，除非另有说明）：
- V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：BDX66为-60V，BDX66A为-80V，BDX66B为-100V，BDX66C为-120V。
- ICEO（集电极截止电流）：最大-1.0mA。
- ICBO（集基截止电流）：最大-1.0。
- EBO（发射极截止电流）：最大-5。
- VCE(sat)（饱和集电极-发射极电压）：最大-2V。
- VBE（基-发射电压）：-2.5V。
- VF（二极管正向电压）：2V。
- hFE（正向电流转换比）：在不同集电极电流下有不同的典型值。
- 动态特性：
- Ihfel（共发射小信号短路前向电流转换比）：50。
- Cobo（输出电容）：300pF。
- ton（开启时间）：1.0μs。
- toff（关闭时间）：3.5μs。
6. 应用信息：
- 适用于通用低频开关应用。
7. 封装信息：
- 采用TO-3(TO-204AA)封装，具体尺寸以机械数据图为准。
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