1. 物料型号:
- 型号为BS250CSM4。
2. 器件简介:
- 该器件为P沟道增强型MOSFET,采用陶瓷表面贴装封装,适用于高可靠性机械数据应用。
3. 引脚分配:
- PAD 1 - Drain(漏极)
- PAD 2 - N/C(无连接)
- PAD 3 - Source(源极)
- PAD 4 - Gate(栅极)
4. 参数特性:
- 漏源电压(V_DSS):45V
- 漏极电流(I_D):0.18A
- 导通电阻(r_dson):14欧姆
5. 功能详解:
- 该器件具有全密封表面贴装封装,提供筛选选项。
6. 应用信息:
- 适用于需要高可靠性和机械数据保护的应用场合。
7. 封装信息:
- 封装类型为LCC3,具体尺寸和封装细节在文档中有图形描述。