1. 物料型号:BSS76
2. 器件简介:BSS76是一款高压PNP硅晶体管,采用密封金属封装,具有不同的筛选选项。
3. 引脚分配:TO-18(TO-206AA)封装,引脚1为发射极(Emitter),引脚2为基极(Base),引脚3为集电极(Collector)。
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VCBO(集电极-基极电压):-300V
- VCEO(集电极-发射极电压):-300V
- VEBO(发射极-基极电压):-5V
- Ic(连续集电极电流):-0.5A
- PD(总器件耗散功率):TA=25°C时为0.5W,Tc=25°C时为2.5W
- TJ,TSTG(工作结与存储温度范围):-65至200°C
- ReJC(结-壳热阻):70°C/W
5. 功能详解:BSS76晶体管可以按照BS、CECC和JAN规范的要求进行处理,适用于需要密封和高电压应用的场合。
6. 应用信息:适用于需要密封和高电压的应用场合,具体应用未在文档中详细说明。
7. 封装信息:采用TO-18(TO-206AA)封装,这是一种常见的小功率晶体管封装形式。