### 物料型号
- 型号:IRF240
### 器件简介
- IRF240是一款N-CHANNEL POWER MOSFET,具有低$R_{DS}(on)$,封装在密封金属包中,适用于开关、电源、电机控制和放大器应用。
### 引脚分配
- Pin 1: Gate(栅极)
- Pin 2: Source(源极)
- Case: Drain(漏极)
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- VDS(漏源电压):200V
- VGS(栅源电压):+20V
- ID(连续漏电流,25°C):18A
- ID(连续漏电流,100°C):11A
- IDM(脉冲漏电流):72A
- PD(25°C时总功率耗散):125W
- EAS(单脉冲雪崩能量):12.5mJ
- dv/dt:5V/ns
- TJ(结温范围):-55 to +150°C
- Tstg(存储温度范围):-55 to +150°C
- 热性能:
- ROJC(结到外壳的热阻):1.0°C
- 内部封装电感:
- LD(内部漏极电感):5nH
- LS(内部源极电感):13nH
### 功能详解
- IRF240具有低导通电阻和高效率,适用于需要高功率处理的应用。其设计能够承受高电压和大电流,同时保持较低的功耗。
### 应用信息
- 适用于开关、电源、电机控制和放大器应用。
### 封装信息
- 封装在密封金属包中,具体尺寸和封装类型在文档中未详细说明,但通常这种封装适用于高功率和高可靠性的应用。