IRFF430

1. 物料型号： - 型号：2N6802 IRFF430 - 描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET（N沟道增强型功率MOSFET）

2. 器件简介： - 特点：AVALANCHE ENERGY RATED、HERMETICALLY SEALED、DYNAMIC dv/dt RATING、SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS（雪崩能量额定、密封、动态dv/dt额定、简单驱动要求） - 封装：TO39 – Package (TO-205AF)

3. 引脚分配： - Pin 1 – Source（源极） - Pin 2 – Gate（栅极） - Pin 3 – Drain（漏极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VGS（Gate - Source Voltage）：±20V - lD（Continuous Drain Current）：2.5A（VGs = 10V, Tcase = 25°C）和1.5A（VGs = 10V, Tcase = 100°C） - IDM（na Pulsed Drain Current）：11A - PD（Power Dissipation）：25W @ Tcase = 25°C - EAS（Single Pulse Avalanche Energy）：0.35mJ - dv/dt（Peak Diode Recovery）：3.5V/ns - TJ,Tstg（Operating and Storage Temperature Range）：-55 to +150°C - 热阻： - ReJC（Thermal Resistance Junction to Case）：5.0°C/W - ReJA（Thermal Resistance Junction-to-Ambient）：175°C/W

5. 功能详解： - 该器件是一个N沟道功率MOSFET，具有高雪崩能量额定和密封特性，适用于需要高动态dv/dt额定和简单驱动要求的应用。

6. 应用信息： - 应用：适用于需要高能量耐受和高dv/dt应用的场合，如电源、电机控制等。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-205AF - 尺寸：请参考PDF文档中的机械数据图。