IRFM250

### 物料型号 - 型号：IRFM250 2N7225

### 器件简介 - 该器件是一个N-Channel Power MOSFET，具有高电压、内置保护二极管、密封隔离的TO-254AA封装，并且提供侧标签和无标签的封装选项，以及筛选选项。

### 引脚分配 - TO-254AA封装引脚： - Pin 1：Drain（漏极） - Pin 2：Source（源极） - Pin 3：Gate（栅极）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - VGs（栅源电压）：+20V - 电气特性： - Vpss（漏源击穿电压）：200V - Rps(on)（静态漏源导通电阻）：0.100Ω - D（连续漏极电流）：27.4A（@VGs = 10V, Tc= 25°C） - lDM（脉冲漏极电流）：110A - PD（最大功耗）：150W（Tc= 25°C） - L（雪崩电流）：27.4A - dv/dt（峰值二极管恢复时间）：5.5V/ns - ReJC（结壳热阻）：0.83°C/W - ROJA（结环境热阻）：48°C/W - Recs（壳沉热阻）：0.21°C/W（典型值） - TJ,TSTG（工作结和存储温度范围）：-55 to 150°C - TL（引脚温度）：300°C

### 功能详解 - 该MOSFET具有N-Channel MOSFET的特性，包括高电压处理能力和内置保护二极管，适用于需要高电压和大电流的应用场合。

### 应用信息 - 适用于需要高电压和大电流处理能力的应用，如电源管理、电机控制等。

### 封装信息 - 提供TO-254AA隔离金属封装，以及侧标签和无标签的封装选项。