### 物料型号
- 型号：IRFM250 2N7225
### 器件简介
- 类型：N–CHANNEL POWER MOSFET（N沟道功率MOSFET）
- 特点：
- 高电压
- 集成保护二极管
- 密封隔离TO-254封装
- 可选侧标签和无座封装
- 可选筛选选项
### 引脚分配
- TO–254AA：
- Pin 1 – Drain（漏极）
- Pin 2 – Source（源极）
- Pin 3 – Gate（栅极）
### 参数特性
- 绝对最大额定值：
- 工作结温和存储结温范围：-55 to 150°C
- 峰值二极管恢复dv/dt：300°C
- 电气特性（TJ=25°C除非另有说明）：
- 漏源击穿电压（BVpss）：200V
- 静态漏源导通电阻（Rps(on)）：0.100Ω
- 栅极阈值电压（VGs(th)）：2V至4V
- 零栅极电压漏极电流（lpss IGSS）：25A（125°C时为250A）
### 功能详解
- 该器件是一个N沟道MOSFET，具有高电压和集成保护二极管，适用于需要高功率和高电压的应用场合。其密封隔离的TO-254封装提供了良好的热管理和电气隔离。
### 应用信息
- 适用于需要高电压和大电流的功率管理应用，如电源转换、电机控制等。
### 封装信息
- TO-254AA：隔离金属封装，具有侧标签和无座选项。
