IRFN250

1. 物料型号： - 型号为IRFN250 2N7225U1。

2. 器件简介： - 该器件是一个N-CHANNEL POWER MOSFET，具有密封表面贴装封装，占用PCB空间小，驱动要求简单，重量轻，可实现高密度封装。

3. 引脚分配： - SMD1 PACKAGE (TO-276AB)：Pad 1-Source，Pad 2-Drain，Pad 3-Gate。注意：IRF250SMD也提供引脚1和3反向的版本。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值：VGS（Gate - Source Voltage）±20V，连续漏极电流（VGs = 0, Tcase = 25°C）27.4A，（VGs =0, Tcase = 100°C）17A，脉冲漏极电流110A，功率耗散@Tcase = 25°C 150W，线性降额因子1.2W/°C，单脉冲雪崩能量500mJ，峰值二极管恢复5.0V/ns，工作和存储温度范围-55至150°C，封装安装面温度（5秒）300°C，热阻Junction to Case 0.83°C/W。

5. 功能详解： - 静态电气特性包括漏源击穿电压、温度系数、静态漏源导通电阻、门限电压、正向跨导等。 - 动态特性包括输入电容、输出电容、反向转移电容、总门电荷、门源电荷、门漏（Miller）电荷等。 - 源-漏二极管特性包括连续源电流、脉冲源电流、二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷等。

6. 应用信息： - 该器件适用于需要高功率、高效率和高密度封装的应用场合。

7. 封装信息： - 提供TO-276AB封装，具有较小的占用空间和高密度贴装能力。