1. 物料型号:IRFY210
2. 器件简介:IRFY210是一款N-Channel MOSFET,封装在TO257AB(也称为TO220M)的金属外壳中,具有200V的漏源击穿电压和1.8A的连续漏电流。
3. 引脚分配:1 - Gate(栅极),2 - Drain(漏极),Case - Source(外壳连接到源极)。
4. 参数特性:
- VDss(漏源击穿电压):200V
- ID(连续漏电流):1.8A
- Pd(功率耗散):11W
- RDS(ON)(静态漏源导通电阻):1.725Ω
- CIss(输入电容):140pF(最小值)
- Qg(总栅极电荷):6.2nC
- t_ie(ean)(开通延迟时间):15ns
- tu(上升时间):20ns
- t_d(at)(关断延迟时间):30ns
- t_f(下降时间):20ns
5. 功能详解:IRFY210适用于需要高电压和较大电流的应用场合,如电源管理、电机控制等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,而快速开关特性适合高频应用。
6. 应用信息:虽然文档中未详细说明具体应用,但基于其电气特性,IRFY210可用于高电压和大电流的开关应用,如电源转换器、电机驱动器等。
7. 封装信息:TO257AB(TO220M)是一种常见的金属封装,适用于功率MOSFET,具有良好的散热性能。