### 物料型号
- 型号:IRFY240 / IRFY240M
### 器件简介
- 简介:低$R_{DS}(on)$ N沟道功率MOSFET晶体管,采用密封金属TO-257AB封装,适用于开关、电源、电机控制和放大器应用。
### 引脚分配
- IRFY240:Pin 1 - Gate,Pin 2 - Drain,Pin 3 - Source
- IRFY240M:Pin 1 - Drain,Pin 2 - Source,Pin 3 - Gate
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- VDS(漏源电压):200V
- VGS(栅源电压):+20V
- ID(连续漏电流,25°C):12A
- ID(连续漏电流,100°C):7.8A
- DM(脉冲漏电流):48A
- PD(25°C时总功率耗散):60W
- EAS(单脉冲雪崩能量):330mJ
- IAR:12A
- EAR(重复脉冲雪崩能量):6mJ
- dv/dt(峰值二极管恢复时间):5V/ns
- TJ(结温范围):-55 to +150°C
- Tstg(存储温度范围):-55 to +150°C
### 功能详解
- 电气特性:
- BVDSS(漏源击穿电压):200V
- VDSS B ∆ JT(击穿电压温度系数):0.29 V/°C
- RDS(on)(静态漏源导通电阻):0.22Ω(最小值)
- VGS(th)(栅阈值电压):2-4V
- gfs(正向跨导):6.1 S(典型值)
- IDSS(零栅压漏电流):25-250 µA
- IGSS(正向栅源漏电流):100 nA
- IGSS(反向栅源漏电流):-100 nA
### 应用信息
- 应用:适用于开关、电源、电机控制和放大器应用。
### 封装信息
- 封装:TO-257AB(也称为TO220M)