物料型号:
- 型号:IRFY9130C
器件简介:
- IRFY9130C是一个P-Channel MOSFET,封装在TO257AB金属外壳中。
引脚分配:
- 1 – Gate(栅极)
- 2 – Drain(漏极)
- Case – Source(封装体 – 源极)
参数特性:
- Voss(漏源击穿电压):100V
- I_D(连续漏极电流):11.2A
- R_DS(ON)(静态漏源导通电阻):0.3Ω
- Ciss(输入电容):800pF(最小值)
- Qg(总栅极电荷):30nC
- t_id(an)(开启延迟时间):60ns
- t_r(上升时间):140ns
- t_d(at)(关闭延迟时间):140ns
- t_f(下降时间):140ns
功能详解:
- IRFY9130C是P沟道MOSFET,用于电源管理、开关应用等。其低导通电阻和高漏极电流使其适合高效率的功率管理。
应用信息:
- 该器件可用于需要高电压、高电流和低导通电阻的场合,如电源转换、电机控制、负载开关等。
封装信息:
- 封装类型:TO257AB(也称为TO220M)