KSH13005AF

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SEMIHOW
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KSH13005AF - Switch Mode series NPN silicon Power Transistor - SemiHow Co.,Ltd.

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KSH13005AF 0 KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH13005AF 0 KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Mode series NPN silicon Power Transistor - High voltage, high speed power switching - Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor 75 Watts Absolute Maximum Ratings CHARACTERISTICS Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current(DC) Collector Current(Pulse) Base Current Collector Dissipation(Tc=25℃) Junction Temperature Storage Temperature TC=25℃ unless otherwise noted SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PC TJ TSTG RATING 700 400 9 4 8 2 30 150 -65~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ TO-220F 1. Base 2. Collector 3. Emitter 12 3 Electrical Characteristics CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter Cut-off Current *DC Current Gain *Collector-Emitter Saturation Voltage TC=25℃ unless otherwise noted SYMBOL VCEO IEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) Test Condition IC=10mA, IB=0 VEB=9V,IC=0 VCE=5V,IC=1A VCE=5V,IC=2A IC=1A,IB=0.2A IC=2A,IB=0.5A IC=4A,IB=1A IC=1A,IB=0.2A IC=2A,IB=0.5A VCB=10V, f=0.1MHz Min 400 Typ. Max Unit V 1 10 8 60 40 0.5 0.6 1 1.2 1.6 65 4 0.8 4.0 0.9 ㎃ V V V V V ㎊㎒㎲㎲㎲ *Base-Emitter Saturation Voltage Output Capacitance Current Gain Bandwidth Product Turn on Time Storage Time Fall Time * Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2% VBE(sat) Cob fT ton tstg tF VCE=10V,IC=0.5A Vcc=125V, Ic=2A IB1=0.4A, IB2= -0.4A RL=62.5Ω Note. R hFE1 Classification O Y 19 ~ 28 28 26 ~ 35 33 ~ 40 Package Mark information. S YWW Z KSH13005AF S YWW Z SemiHow Symbol Sy Y; year code, WW; week code hFE1 Classification ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH13005AF 0 Typical Characteristics ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH13005AF 0 Typical Characteristics ( Continued ) ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH13005AF 0 Package Dimension TOTO-220F ±0.20 ±0.20 8 3.1 φ .20 ±0 2.54±0.20 0.70±0.20 15.87±0.20 3.30±0.20 12.42±0.20 6.68±0.20 2.76±0.20 9.75±0.20 1.47max 0.80±0.20 2.54typ 2.54typ 0.50±0.20 Dimensions in Millimeters ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007

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KSH13005AF

物料型号： - 型号为KSH13005AF。

器件简介： - KSH13005AF是一款NPN型硅质功率晶体管，属于开关模式系列，具有高电压和高速开关特性，适用于开关稳压器、逆变器和电机控制器。

引脚分配： - 1. Base（基极） - 2. Collector（集电极） - 3. Emitter（发射极）

参数特性： - 绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）： - 集-基电压（VCBO）：700V - 集-射电压（VCEO）：400V - 发-基电压（VEBO）：9V - 集电极电流（DC）：4A - 集电极电流（脉冲）：8A - 基极电流：2A - 功耗（Pc）：30W - 结温（T）：150℃ - 存储温度（TSTG）：-65℃至150℃

功能详解： - KSH13005AF是一款4安培NPN硅质功率晶体管，功率75瓦，封装为TO-220F。其电气特性包括： - 集-射击穿电压（VCEO）：400V - 发射极截止电流（EBO）：1mA - DC电流增益（hFE）：在Vce=5V, Ic=1A时为10至60，Vce=5V, Ic=2A时为8至40 - 集-射饱和电压（Vce(sat)）：在Ic=1A, Ib=0.2A时为0.5V，在Ic=2A, Ib=0.5A时为0.6V，在Ic=4A, Ib=1A时为1V - 基-发射饱和电压（Vge(sat)）：在Ic=1A, Ib=0.2A时为1.2V，在Ic=2A, Ib=0.5A时为1.6V - 输出电容（Cob）：65pF - 电流增益-带宽积（fT）：4MHz - 导通时间（ton）：0.8秒 - 存储时间（tstg）：4.0微秒 - 下降时间（tF）：0.9秒

应用信息： - 适用于需要高电压、高速开关的应用，如开关稳压器、逆变器和电机控制器。

封装信息： - 封装类型为TO-220F，具有特定的尺寸和标记信息。

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