KSH5027AF

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SEMIHOW
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KSH5027AF - High Voltage and High Reliability - SemiHow Co.,Ltd.

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KSH5027AF 2 KSH5027AF ◎ SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AF 2 KSH5027AF High Voltage and High Reliability Voltage and High Reliability - High Speed Switching - Wide SOA 3 Amperes NPN Silicon Power Transistor 50 Watts Absolute Maximum Ratings CHARACTERISTICS Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current(DC) Collector Current(Pulse) Base Current Collector Dissipation(Tc=25℃) Junction Temperature Storage Temperature TC=25℃ unless otherwise noted SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB PC TJ TSTG RATING 1100 800 7 3 10 1.5 40 150 -55~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ TO-220F 1. Base 2. Collector 3. Emitter 12 3 Electrical Characteristics CHARACTERISTICS Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector Cut0off Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Output Capacitance Current Gain Bandwidth Product Turn on Time Storage Time Fall Time Time TC=25℃ unless otherwise noted SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICEX(sus) ICBO IEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) Cob fT ton tstg tf Test Condition IC=1mA, IE=0 IC=5mA, IB=0 IE=1mA, IE=0 IC=1.5A, IB1=-IB2=0.3A L=2mH, Clamped VCB=800V,IE=0 VEB=5V,IC=0 VCE=5V,IC=0.2A VCE=5V,IC=1A IC=1.5A,IB=0.3A IC=1.5A,IB=0.3A VCB=10V,IE=0, f=0.1MHz Min 1100 800 7 800 Typ. Max Unit V V V V 10 10 10 8 40 2 1.5 60 15 0.5 3.0 0.3 ㎂㎂ V V ㎊㎒㎲㎲㎲ VCE=10V,IC=0.2A Vcc=400V, Ic=5A IB1=-2.5A, IB2=2A RL=200Ω Note : hFE1 Classification R :10 ~ 20, O : 15 ~ 30, Y : 20 ~ 40 ◎ SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AF 2 Typical Characteristics Figure 1. Static Characteristic Figure 2. DC current Gain Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Figure 4. Base-Emitter On Voltage Figure 5. Switching Time Figure 6. Safe Operating Area ◎ SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AF 2 Typical Characteristics ( Continued ) Figure 7. Reverse Bias Operating Area Figure 8. Power Derating ◎ SEMIHOW REV.A0,Oct 2007 KSH5027AF 2 Package Dimension TOTO-220F ±0.20 ±0.20 8 3.1 φ .20 ±0 2.54±0.20 0.70±0.20 15.87±0.20 3.30±0.20 12.42±0.20 6.68±0.20 2.76±0.20 9.75±0.20 1.47max 0.80±0.20 2.54typ 2.54typ 0.50±0.20 Dimensions in Millimeters ◎ SEMIHOW REV.A0,Oct 2007

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KSH5027AF

1. 物料型号： - KSH5027AF

2. 器件简介： - KSH5027AF是一款高电压、高可靠性、高速开关的NPN硅功率晶体管，最大电流为3安培，功率为50瓦特，封装为TO-220F。

3. 引脚分配： - 1. Base（基极） - 2. Collector（集电极） - 3. Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：1100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：800V - 发射极-基极电压（VEBO）：7V - 集电极电流（DC）：3A - 集电极电流（脉冲）：10A - 基极电流：1.5A - 耗散功率（Pc）：40W - 结温（T）：150°C - 存储温度（TSTG）：-55°C至150°C - 电气特性（TC=25°C）： - 集电极-基极击穿电压（VCBO）：1100V - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：800V - 发射极-基极击穿电压（VEBO）：7V - 集电极-发射极维持电压（cEx(sus)）：800V - 集电极截止电流（IcBo）：10μA - 发射极截止电流（EBO）：10μA - DC电流增益（hFE1, hFE2）：10至40 - 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：2V - 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：1.5V - 输出电容（Cob）：60pF - 电流增益-带宽积（fr）：15MHz - 导通时间（tan）：0.5μs - 存储时间（tsg）：3.0s - 下降时间（tf）：0.3s

5. 功能详解： - KSH5027AF具有高电压、高速开关的特性，并具有较宽的安全工作区域（SOA）。适用于需要高电压和高可靠性的高速开关应用。

6. 应用信息： - 该型号适用于高电压和高可靠性的高速开关应用，如电源、电机控制等。

7. 封装信息： - KSH5027AF采用TO-220F封装。

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