1. 物料型号:
- 型号:SKCD 06 C 120 I HD
2. 器件简介:
- 该器件是一个快速恢复二极管,具有高电流密度、易于并联、正温度系数、非常软的恢复行为、小的开关损耗、高鲁棒性、兼容粗线键合和标准焊接工艺等特点。
3. 引脚分配:
- 阳极:可键合(Al)
- 阴极:可焊接(Ag/Ni)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- VRRM(反向重复峰值电压):1200V
- IF(AV)(平均电流):8A(80°C时)/ 150°C时未给出具体数值
- IFSM(浪涌电流):60A(10ms)
- Tjmax(最大结温):150°C
- 电气特性:
- i2t(浪涌电流耐受时间):15A²s(150°C,10ms,正弦波)
- IR(反向电流):0.10mA(25°C,1200V)
- VF(正向电压):1.50V(25°C,5A)/ 1.77V(125°C)
- V(TO)(通态电压):0.92V(125°C)
- IT(总电流):119.8mA(125°C)
5. 功能详解:
- 该器件适用于IGBT的自由轮流通路,特别适用于频率小于8kHz的应用。
6. 应用信息:
- 典型应用包括IGBT的自由轮流通路,尤其适合于频率低于8kHz的场合。
7. 封装信息:
- 封装尺寸:2.44mm x 2.44mm
- 总面积:5.95mm²
- 封装类型:晶圆框架
- 每封装芯片数:1720(5英寸晶圆)