1. 物料型号：
- 型号：SKCD 61 C 120 I HD
2. 器件简介：
- 该器件是一个电容器，具有高电流密度、易于并联、正温度系数、非常软的恢复行为、小的开关损耗、高鲁棒性、兼容粗线键合、兼容标准焊接工艺等特点。
3. 引脚分配：
- 阳极：可键合（Al）
- 阴极：可焊接（Ag/Ni）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VRRM：1200V
- IF(AV)：70A
- IFSM：920A（10ms）
- Tjmax：150°C
- 电气特性：
- i2t：4050A²s（150°C，10ms，sin 180°）
- IR：0.20mA（25°C，VRRM=1200V）
- VF：1.50V（25°C，IF=90A）至1.77V（125°C，IF=90A）
- V(TO)：0.92V（125°C）
- IT：6.1mA（125°C）
5. 功能详解：
- 动态特性包括高电流密度、易于并联、正温度系数、非常软的恢复行为、小的开关损耗、高鲁棒性。
- 典型应用为IGBT的自由轮流通路，特别适用于频率小于8kHz的场合。
6. 应用信息：
- 热特性：
- Tj：-40至150°C
- Tstg：-40至150°C
- Tsolder：10分钟250°C，5分钟320°C
- 热阻Rth(-s)：0.54K/W（焊在0.38mm DCB上，参考点在接近芯片的铜散热器上）
7. 封装信息：
- 尺寸：7.8x7.8mm
- 总面积：60.84mm²
- 键合线：Al，直径≤500μm
- 封装：晶圆框架
- 每封装芯片数：156（5英寸晶圆）
