1. 物料型号：
- 型号为“SKCD 61 C 170 I HD”。
2. 器件简介：
- 这是一个高电流密度、易于并联、具有正温度系数、非常软恢复特性、小开关损耗、高鲁棒性、兼容粗线键合和标准焊接工艺的器件。
3. 引脚分配：
- 阳极（Anode）：可键合（Al）。
- 阴极（Cathode）：可焊接（Ag/Ni）。
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VRRM：1700V。
- IF(AV)：65A。
- IFSM：850A。
- Tjmax：150°C。
- 电气特性：
- i2t：2520A²s（150°C，10ms，正弦波180°）。
- IR：0.10mA（25°C，VRRM=1700V）。
- VF：1.73V（25°C，IF=100A）；1.78V（125°C，IF=100A）。
- V(TO)：1.03V（125°C）。
- IT：7.4mA（125°C）。
5. 功能详解：
- 动态特性包括高电流密度、小正向电压分散、正温度系数、非常软恢复行为、小开关损耗、高鲁棒性、兼容粗线键合和标准焊接工艺。
6. 应用信息：
- 典型应用为IGBT的自由轮流通路二极管，特别适用于频率小于8kHz的场合。
7. 封装信息：
- 封装尺寸：7.8mm x 7.8mm。
- 总面积：61mm²。
- 封装类型：晶圆框架。
- 每封装芯片数：156（5英寸晶圆）。
